【导读】力芯微电子全新推出ET5H5XX系列高压LDO，突破性实现40V输入耐压与2.8μA超低静态电流双极限性能。采用PMOSFET+动态瞬态增强架构，在300mA负载下压差仅1V（5V输出），52dB@1kHz纹波抑制能力为智能设备提供"纯净"电源，覆盖SOT89-3至DFN4(1×1)全封装矩阵。
力芯微电子全新推出ET5H5XX系列高压LDO，突破性实现40V输入耐压与2.8μA超低静态电流双极限性能。采用PMOSFET+动态瞬态增强架构，在300mA负载下压差仅1V（5V输出），52dB@1kHz纹波抑制能力为智能设备提供"纯净"电源，覆盖SOT89-3至DFN4(1×1)全封装矩阵。
技术痛点与创新方案
在智能设备中的核心价值
●续航革命：智能手表待机时长延长30%（静态功耗仅2.8μA）
●高压直驱：支持12V-40V宽输入，直接兼容电动工具电池包
●纯净供电：52dB纹波抑制比，保障蓝牙耳机信噪比>110dB
●空间解放：1×1mm封装使TWS充电仓PCB面积缩减40%
关键竞争力
●功耗极限：2.8μA静态电流（同类TI产品5μA）
●瞬态响应：100mA→300mA负载阶跃恢复时间<10μs
●集成防护：内置过温/过流/反接保护
●封装覆盖：4种封装兼容新旧设计
竞品性能对比
对比结论：
ET5H5XX在静态功耗与封装密度上碾压国际大厂，1×1mm DFN4为行业最小高压LDO封装，2.8μA静态电流显著提升电池设备续航能力。虽纹波抑制略逊于ADI，但40V耐压+成本优势形成差异化竞争力。
典型应用场景
●智能穿戴：TWS耳机充电仓主控供电（40V输入防浪涌）
●工业手持终端：替代DC-DC为MCU提供纯净3.3V电源
●BMS从控供电：直接取电动力电池，省去预降压电路
●电动工具：无刷电机控制板待机电源，静态功耗降低85%
量产与供应体系
●投产状态：全系量产出货（SOT23-3/SOT23-5现货库存）
●渠道支持：立创商城、云汉芯城等平台开放采购
●样品政策：DFN4封装提供免费试样
●交期保障：标准品4-6周，支持定制化输出电压
结语
ET5H5XX系列通过40V高压直驱与纳米级功耗的极致平衡，直击智能设备小型化与长续航痛点。其价值不仅在于参数突破——更标志着国产电源芯片首次在高压低功耗领域实现技术反超。随着力芯微推出车规级衍生型号，该技术将延伸至新能源汽车域控制器，推动国产半导体高端化进程。
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