【导读】YP3035W-H射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的增益和线性度;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。采用符合工业标准的QFN封装形式,封装尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。
产品描述
YP3035W-H射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的增益和线性度;
芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。
采用符合工业标准的QFN封装形式,封装尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。
YP3035W-H
主要性能指标
-工作频段:2000~3000MHz
-工作电压:3.3~5.0V
-增益:33dB
-输出功率:36dBm@5.0V
-静态电流:250mA
-输入回波损耗:>15dB
-内部集成功率检测单元
-内部集成ESD保护单元
-封装形式:QFN-16L 4mm×4mm
-工作温度:-40℃~85℃
应用领域
-2.4GHz物联网
-IEEE 802.11b/g/n/ac无线局域网
-高端无线网卡、无线AP
-LTE
-Wibro 2.3GHz to 2.4GHz
-WiMAX 2.5GHz to 2.7GHz
测试曲线
苏州英诺迅科技股份有限公司
苏州英诺迅科技股份有限公司是一家高新技术企业,成立于2008年12月,总部位于江苏省苏州市工业园区,专注于射频芯片和射频前端模块的设计、研发和销售。其产品广泛应用于无线通信、卫星通信、雷达、各类扫频信号源等领域。
公司拥有自主知识产权的射频前端芯片和模块,能够提供从100KHz到40GHz的射频前端解决方案,主要产品包括射频微波集成电路放大器(PAs)、开关(SWITCHs)、压控振荡器(VCOs)和低噪声放大器(LNAs)等。公司的客户遍布全球,涵盖了互联网、通信、卫星等领域。苏州英诺迅科技股份有限公司致力于成为全球领先的射频模拟器件及方案提供商之一,持续推动行业进步,不断进行研发创新。
来源:英诺迅
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