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IR推出针对恶劣工业环境优化的10-50A、1200V IGBT

发布时间:2013-06-08 来源:eliane 责任编辑:eliane

近日,IR为工业电机驱动器和UPS系统优化推出一系列1200V坚固型超快速绝缘栅双极晶体管(IGBT),新器件采用IR纤薄晶圆场沟道技术,具有更低的传导和开关损耗,兼具低QRR软恢复二极管并设有10us短路额定值,为严苛的工业应用进行了优化。

“新型1200V N沟道IGBT具有极低的Vce(on)和低开关损耗,能够提供更高的系统效率和出众的瞬态性能从而提高产品可靠性,十分适合恶劣的工业环境。” IR节能产品事业部IGBT产品营销经理Llewellyn Vaughan-Edmunds 表示。

新型封装IGBT器件具有10-50A的宽电流范围,其他关键性能优势还包括:最高150°C结温,低Vce(on) 和正Vce(on)温度系数易于并联和降低功耗,并实现更高功率密度。

IR新型IGBT包装信息

IR新型IGBT包装信息
图1:IR新型IGBT包装信息

IR新型IGBT规格

 
IR新型IGBT规格
图2:IR新型IGBT规格

IR新型IGBT供货和定价信息

该产品已可提供样品。订购量为10K时,IRG7PH37K10D定价为3.85美元,收到订单后可立即供货。器件符合RoHS标准。

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