“新型1200V N沟道IGBT具有极低的Vce（on）和低开关损耗，能够提供更高的系统效率和出众的瞬态性能从而提高产品可靠性，十分适合恶劣的工业环境。” IR节能产品事业部IGBT产品营销经理Llewellyn Vaughan-Edmunds 表示。
新型封装IGBT器件具有10-50A的宽电流范围，其他关键性能优势还包括：最高150°C结温，低Vce(on) 和正Vce(on)温度系数易于并联和降低功耗，并实现更高功率密度。
IR新型IGBT包装信息
图1：IR新型IGBT包装信息
IR新型IGBT规格
图2：IR新型IGBT规格
IR新型IGBT供货和定价信息
该产品已可提供样品。订购量为10K时，IRG7PH37K10D定价为3.85美元，收到订单后可立即供货。器件符合RoHS标准。
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