【导读】Nuvoton Technology Corporation Japan（NTCJ）凭借40余年激光设计制造经验，于1月20日宣布量产高功率紫外半导体激光器（379 nm, 1.0 W），以专有器件结构与先进高散热封装技术，攻克了紫外半导体激光器三大核心技术痛点，实现行业领先的光功率输出。这款采用TO-9 CAN封装的产品，不仅填补了高功率紫外激光稳定运行的技术空白，更将为先进半导体封装无掩模光刻的图形化精密度与生产效率升级注入关键动力，为汞灯替代场景提供了更优解决方案。
截至2026年1月16日，基于NTCJ对波长为379 nm、TO-9 CAN封装、在25°C壳温(Tc)下连续波(CW)运行的半导体激光器的研究。
随着人工智能(AI)的发展推动信息处理能力需求增长，对半导体性能的要求较以往也在不断提高。另一方面，随着晶体管微缩化发展接近其物理和经济极限，半导体后端封装技术和先进半导体封装技术（通过并排排列或垂直堆叠多个半导体芯片的集成方案）正引起关注。
这些封装技术的演进，离不开无掩膜曝光技术的支持。作为无掩模光刻技术中的关键光源之一，半导体激光器面临着向更短波长（接近i线365 nm）和更高输出功率发展的不断增长的需求，以实现更精细的线路和提高设备产能。为满足这些要求，NTCJ凭借40多年的激光设计和制造经验，开发并商业化了波长为379 nm、输出功率达1.0 W的紫外半导体激光器。
紫外半导体激光器通常存在由于低光电转换效率(WPE)引起的显著热量产生问题，以及由紫外光引起的器件退化倾向，这使得在1.0 W以上的高输出水平下实现稳定运行变得困难。为解决这一问题，NTCJ采取了双管齐下的方法，同时专注于"提高WPE的器件结构"和"有效散热的高热传导封装技术"，成功开发出一款兼具短波长、高功率和长寿命的产品：1.0 W紫外(379 nm)激光二极管器。这有助于延长紫外光光学器件的寿命。
NTCJ这款兼具短波长、高功率与长寿命的紫外半导体激光器，既是其深耕激光领域多年技术积淀的集中体现，也精准契合了全球无掩模光刻技术向更高精度、更高产能迭代的发展趋势，为半导体先进封装产业的技术升级提供了核心光源支撑。作为“基于半导体激光的汞灯替代产品”系列的新成员，该产品进一步丰富了客户的应用选择。
目前，NTCJ已计划在全球顶级光电盛会——美国旧金山SPIE Photonics West 2026展会及日本横滨OPIE'26展会上，全面展示这款新产品的技术细节。诚邀全球半导体及光电领域同仁莅临展台，共探技术创新机遇，携手推动行业高质量发展。
