【导读】近日，盛密科技正式发布全新4SM O2-LF氧气电化学传感器。该产品经过严苛验证，专为半导体制造过程中关键的气体泄漏监测场景而研发，以其高稳定性、快速响应与优异线性表现，填补了公司在特定工艺气体监测领域的产品空白。
近日，盛密科技正式发布全新4SM O2-LF氧气电化学传感器。该产品经过严苛验证，专为半导体制造过程中关键的气体泄漏监测场景而研发，以其高稳定性、快速响应与优异线性表现，填补了公司在特定工艺气体监测领域的产品空白。
响应曲线
上图是25只4SM O2-LF传感器对空气的响应曲线，可以看出基线稳定，T90≤15s，曲线平稳，回零快。
分辨率
上表是15只4SM O2-LF传感器的测试结果，2倍STDEV≤0.1% VOL O2。
线性
上图为公式处理前。
氧气传感器的输出信号经对数处理后便会呈现极好的线性，所以建议以理论公式y=K*Ln(1/(1-c))处理，下图为公式处理后的线性曲线。
上图是25只4SM O2-LF传感器通入N2气体、5%Vol、10%Vol、20.9%Vol、25%Vol和30%Vol的O2气体的测得结果，在0~30%Vol. O2内线性好，线性判决系数R2为0.9999。
重复性
上图是25只4SM O2-LF传感器分别6次通入空气的输出信号，当输出稳定之后记录输出值，6次的相对标准偏差RSD均小于0.3%，重复性很好。
暴露测试
上图是25只4SM O2-LF传感器通入25%Vol. O2气体30分钟的测试结果，平均变化率在1.5%以内。
交叉干扰
总结
氧气在半导体制造过程中扮演着举足轻重的角色。它是硅片表面生长二氧化硅的关键原料，二氧化硅作为最重要的绝缘层、保护层和介电层，为半导体器件的正常运行提供保障。同时，在高温环境下，氧气能够帮助去除硅片表面的杂质与有机物，有效提高晶圆洁净度。在干法刻蚀或灰化工艺中，氧气用于分解光刻胶，显著提高刻蚀反应效率。因此，氧气是半导体制造过程中不可或缺的重要原料之一。
盛密科技又新增一种半导体制程可探测的气体种类，填补了产品空白。
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