【导读】国产第三代半导体再添硬核成果！近日，至信微电子正式推出1200V 5mΩ超低导通电阻碳化硅JFET系列产品，目前该产品已通过核心客户验证，全面开启批量供货。作为公司SiC JFET产品线的全新升级力作，这款产品凭借业界领先的超低阻参数，补齐了国产高端碳化硅器件的短板，成功将国产SiC JFET带入超低阻、高电流密度新阶段，可为光伏储能、工业驱动、航天科工等高端场景提供高可靠、高性能的国产化功率解决方案。
高性能，高可靠
该系列产品通过解决了大尺寸芯片良率不高和导通电阻偏大问题，集高耐压、超低导通损耗、极速开关响应与优异高温稳定性于一身，性能参数全面比肩国际主流器件。其采用全结型栅极结构，彻底规避了传统MOSFET中栅氧界面陷阱引起的阈值漂移风险，在150℃以上高温、强辐射等严苛工况下仍能保持稳定工作，尤其适用于工业电机驱动、光伏逆变器、充电桩、航空航天等高可靠性电力电子场景。
双线布局，夯实技术底座
此次突破，建立在至信微深厚的技术积淀之上。公司此前已率先推出1200V 7mΩ及750V 5mΩ碳化硅MOSFET，产品良率稳定超过90%，在新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域获得头部客户规模化应用。至此，至信微成为国内同时具备SiC MOSFET与SiC JFET双产品线的功率半导体企业，构筑起从SiC MOS到SiC JFET的完整高性能器件矩阵。
SiC JFET市场概况
当前，全球SiC JFET市场正迎来爆发式增长——2025年全球销售额达30.83亿元，预计2032年将突破56.96亿元。国际巨头如英飞凌亦于今年6月宣布扩展其CoolSiC JFET系列，瞄准AI数据中心与工业应用。至信微此番率先实现1200V 5mΩ量产出货，不仅填补了国内超低阻JFET的产业化空白，更在关键器件自主供给与供应链安全层面提供了坚实支撑。
至信微的技术底气与愿景
至信微电子核心团队汇聚了来自华润微、意法半导体等国际顶尖半导体企业的资深技术与管理人才，始终专注于第三代半导体功率器件的研发与创新。目前公司产品良率超过90%，技术性能已达行业领先水平，已成功推出650V、750V、1200V、1700V全系列MOSFET产品，性能达世界先进水平。未来，至信微将持续深耕JFET与MOSFET协同创新，以自主技术赋能国内高端功率产业链，助力中国第三代半导体从并跑走向领跑。
结论
此次1200V 5mΩ超低阻SiC JFET的量产落地，是至信微电子在第三代半导体领域的关键技术突破，也是国产碳化硅器件产业化进程的重要里程碑。依托成熟的SiC MOSFET量产技术与超高产品良率，至信微已然形成双产品线协同布局的核心优势，成为国内少数同时掌握SiC MOSFET与SiC JFET量产技术的功率半导体企业。在全球SiC JFET市场高速增长、国际巨头加速布局的行业背景下，该产品的推出不仅打破了国外品牌在超低阻碳化硅JFET领域的垄断，填补了国内产业化空白，更有效保障了国内高端功率半导体供应链的自主可控。未来，随着技术持续迭代与产品矩阵不断完善，至信微将持续发力第三代半导体核心器件研发，以自主核心技术赋能国内高端功率产业链升级，推动我国碳化硅产业实现从跟跑、并跑到全面领跑的跨越。
