你的位置:首页 > 新品 > 正文

散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白

发布时间:2025-07-14 责任编辑:lina

【导读】类比半导体推出第二代车规级高边开关芯片HD80012,以1.2mΩ全球最低导通电阻刷新国产记录。独创动态过温保护专利与多阶温度补偿技术,实现±3%电流采样精度,内置电池反接保护可省去外部TVS二极管,助力新能源汽车电驱系统降本30%,现开放免费样品申请。


类比半导体推出第二代车规级高边开关芯片HD80012,以1.2mΩ全球最低导通电阻刷新国产记录。独创动态过温保护专利与多阶温度补偿技术,实现±3%电流采样精度,内置电池反接保护可省去外部TVS二极管,助力新能源汽车电驱系统降本30%,现开放免费样品申请。


散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白


技术难点与应对方案


散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白


核心作用


●能效革命:1.2mΩ内阻降低导通损耗83%(较4mΩ方案)

●集成突破:单芯片替代“驱动IC+保护电路+采样电阻”

●安全升级:ASIL-C级功能安全架构(单点故障覆盖率99%)

●成本优化:BOM元件减少6颗,PCB面积缩减50%


散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白


关键竞争力


●内阻王者:1.2mΩ(当前国产最低,逼近英飞凌BTS7002)

●诊断精度:±3%电流采样精度(全温域)

●动态防护:专利过温保护响应速度<10ms

●车规验证:AEC-Q100 Grade0(150℃结温认证)


散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白


竞品对比分析


散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白


表格解析:

HD80012以1.2mΩ内阻与全集成保护实现双突破,热阻性能优于英飞凌18%。虽安森美单价接近,但类比方案通过省去外部TVS可使系统成本再降15%,成为48V轻混系统理想选择。


实际应用场景


●新能源主驱:IGBT预充回路控制(支持400A峰值电流)

●电池管理系统:高压继电器驱动(内阻波动<0.1mΩ)

●热管理模块:PTC加热器智能启停(诊断精度±3%)

●底盘系统:空气悬架压缩机驱动(-40℃冷启动可靠)

●智能车灯:矩阵LED过流保护(5μs快速关断)

●车载充电机:DC/DC模块使能控制(兼容12V/48V平台)


散热黑科技!类比半导体HD80012高边开关突破国产空白


产品供货情况


●样品政策:官网扫码免费申请(24小时发货)

●量产进度:12英寸晶圆月产能5万片

●交期保障:8周(含AEC-Q100测试报告)

●封装选项:TO-263-7L(支持自动光学检测)

●配套支持:提供热设计仿真模型及布局指南


结语


HD80012的发布标志着国产高边开关正式迈入毫欧时代。其1.2mΩ内阻与全集成保护架构,不仅解决新能源汽车大电流控制痛点,更以83%的能效提升重塑行业标准。随着千万级出货验证的可靠性背书,这款突破工艺极限的芯片将成为电动化浪潮中的关键支点。


我爱方案网


推荐阅读:

ADB技术新突破!纳芯微推出高精度矩阵照明控制方案

移远通信AG53xC系列发布:车规级RedCap模组开启5G车载新时代

从单核到八核:Cadence新款HiFi 5s SMP让音频算法开发效率翻倍

待机10mW的颠覆!ST推出高压转换器破解能效空间悖论

薄如蝉翼强如钢铁:Abracon超薄FPC天线重新定义物联网连接


特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭