【导读】英飞凌推出第二代CoolSiC™ MOSFET 750V G2，以4mΩ全球最低导通电阻与Q-DPAK顶部散热封装革新功率设计。支持-11V瞬态栅极耐压及175℃结温运行，在车载充电器、光伏逆变器等场景实现98.5%峰值效率，车规级AEC-Q101认证型号已开放订购。
英飞凌推出第二代CoolSiC™ MOSFET 750V G2，以4mΩ全球最低导通电阻与Q-DPAK顶部散热封装革新功率设计。支持-11V瞬态栅极耐压及175℃结温运行，在车载充电器、光伏逆变器等场景实现98.5%峰值效率，车规级AEC-Q101认证型号已开放订购。
技术难点与应对方案
核心作用
能效跃升：硬开关拓扑效率＞98.5%（较IGBT方案+3.2%）
●功率密度：体积比D²PAK缩小50%，电流密度提升3倍
●安全增强：抗寄生导通能力提升5倍（V<sub>GS(th)</sub> 4.5V）
●兼容拓展：驱动电压兼容-7V~+22V，无缝替换硅基方案
关键竞争力
●电阻王者：4mΩ导通电阻（当前全球SiC MOSFET最低值）
●开关标杆：Q<sub>fr</sub>降低35%（软开关场景损耗减半）
●散热革命：顶部散热热阻较底部散热降低70%
●车规认证：AEC-Q101 Grade0（175℃结温）
竞品对比分析
表格解析：
CoolSiC™ G2以4mΩ导通电阻与0.5℃/W热阻实现双突破，开关损耗仅为Wolfspeed的62%。虽ST热阻接近，但英飞凌通过-11V栅极耐压显著提升抗干扰能力，结合12%价格优势成为800V平台首选。
实际应用场景
●800V超充桩：25kW模块并联（4mΩ器件降低损耗30%）
●车载OBC：22kW拓扑效率＞98%（支持3C快充）
●光伏逆变器：1500V系统MPPT（175℃高温无降额）
●数据中心电源：钛金认证CRPS模块（功率密度100W/in³）
●储能PCS：100kHz开关频率（体积缩小40%）
●固态断路器：μs级关断（4mΩ实现2000A分断能力）
产品供货情况
●样品订购：4/7/16/25/60mΩ五档型号开放申请
●封装规格：Q-DPAK（顶部散热焊盘兼容D²PAK布局）
●交期保障：
●工业级：8周
●车规级：12周（含AEC-Q101报告）
●设计支持：提供PLECS仿真模型及Layout指南
结语
CoolSiC™ MOSFET 750V G2的发布标志着碳化硅功率器件进入4mΩ时代。其顶部散热Q-DPAK封装破解高功率密度散热难题，-11V栅极耐压为工业恶劣环境提供安全冗余。随着800V电动车平台普及，这款兼具“极致能效-顶级功率密度-车规可靠”三重优势的器件，将重新定义新能源电力电子系统的性能边界。
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