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Vishay推出业界首款20nF高电容，有效节省应用系统的空间
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩展其440L系列交流线路陶瓷盘式电容器的电容范围。Vishay Cera-Mite器件针对Class X1(760VAC)和Class Y1(500VAC) 应用进行设计，具有高可靠性，符合IEC 60384-14第4版的要求，在业内首次实现了20nF的电容。
2016-05-19
陶瓷电容
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ADI全新硅开关缩减蜂窝无线电射频前端的尺寸和功耗
近日，Analog Devices, Inc.(ADI)推出一款高功率（44 W峰值）单刀双掷(SPDT)硅开关ADRF5130，使得设计人员可以缩减蜂窝无线电系统的硬件尺寸和偏置功耗。
2016-05-19
刀开关
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Littelfuse超低正向电压降肖特基势垒整流器优于传统开关二极管
日前，Littelfuse宣布，推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅（SiC ）肖特基二极管。
2016-05-18
整流二极管
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Vishay扩展汽车级SMD铝电容器的电压范围，适用于高温条件下的汽车应用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将汽车级146 CTI和160 CLA系列表面贴装铝电容器的电压范围分别扩展到100V和80V。
2016-05-17
其它电容
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Vishay扩大MOSFET产品组合，推出全新650V EF系列器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。
2016-05-13
MOSFET
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安森美半导体扩展IGBT系列，推出基于超场截止沟槽技术的1200V器件
安森美半导体(ON Semiconductor）推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)，采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。
2016-05-11
IGBT模块
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Molex为PROFIBUS控制器推出SST PB3-CPX 模块
Molex 推出 SST™ PB3-CPX 模块，可将罗克韦尔自动化的 CompactLogix L2、L3 和 L4 控制器连接至 PROFIBUS DP-V0 及 DP-V1 网络。此类模块可为工业自动化应用实现高性能、低成本的解决方案，并且与 Master DP-V0 Class-1、Master DP-V1 Class-1 和 Class-2 以及 Slave DP-V0 协议兼容。
2016-05-09
其它标准处理器
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艾迈斯半导体新型磁性位置传感器支持ISO26262安全性标准，并提供系统级封装型式
今日，艾迈斯半导体公司推出首款采用汽车行业编程开发以满足ISO26262安全标准的磁性位置传感器，拓展了满足汽车安全标准要求的传感器系列产品。
2016-05-06
位置传感器
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Littelfuse全新瞬态二极管旨在保护灵敏电子设备免遭浪涌和静电损坏
Littelfuse公司推出SP4042系列瞬态二极管阵列，旨在保护灵敏的电子设备免遭雷击引起的浪涌事故和静电放电的损坏。
2016-05-05
瞬变抑制二极管
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