【导读】3月17日，意法半导体正式推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代旗舰产品——MasterGaN6。这款全新的系统级封装（SiP）器件在继承前代高集成度优势的基础上实现了显著升级，不仅将高性能GaN功率晶体管的导通电阻降至140mΩ，还创新性地集成了新型BCD栅极驱动器、低压差线性稳压器（LDO）及自举二极管。通过新增故障指示与待机功能引脚，MasterGaN6旨在为消费电子和工业领域的电源设计提供更具智能化管理能力、更高能效且外围电路更简化的解决方案。
依托意法半导体MasterGaN系列业已建立的高集成度优势，MasterGaN6进一步扩大了产品功能，新增故障指示引脚与待机功能引脚。这些功能可以实现智能系统管理，提升节能省电效果，同时新产品还集成了低压差线性稳压器(LDO)和自举二极管，在保证最优驱动性能的同时减少外围元器件数量。
新驱动器采用快速时序设计，导通时间与传输延迟很短，支持高频开关操作，帮助设计人员大幅缩小电路尺寸。此外，超快唤醒时间还提升突发模式运行性能，在轻载工况下实现最佳能效。
MasterGaN6内置全面的安全保护功能，包括交叉导通保护、热关断与欠压锁定，帮助工程师降低物料成本，缩小 PCB 面积，简化电路布局。
MasterGaN6最大输出电流10A，面向消费电子和工业应用，包括充电器、适配器、照明电源和 DC AC 太阳能微型逆变器。该产品的半桥配置适配多种拓扑结构，例如，有源钳位反激(ACF)、谐振 LLC、反向降压转换器和功率因数校正(PFC)电路。
为方便设计人员快速评估新芯片，意法半导体推出了EVLMG6评估板，并将MasterGaN6纳入 eDesignSuite PCB热仿真工具的支持范围内。
MasterGaN6 现已量产，采用 9mm×9mm 紧凑型 QFN 封装。
MasterGaN6凭借其最大10A的输出电流能力、超快的时序响应以及内置的全面安全保护机制（如交叉导通保护和热关断），成功解决了高频开关应用中的尺寸与能效痛点。该产品能够灵活适配有源钳位反激（ACF）、谐振LLC及PFC等多种拓扑结构，广泛适用于充电器、适配器、照明电源及太阳能微型逆变器等场景。
