【导读】近日，长鑫存储官方网站信息更新显示，公司已正式推出LPDDR5X产品，最高速率达到10667Mbps，实现了国内在该速率级别的首次技术突破，直接跻身业界先进水平。

性能飞跃：速率提升66%，功耗降低30%

根据官网产品信息介绍，“LPDDR5/5X是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。”

长鑫存储LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps至10667Mbps的完整范围。值得注意的是，10667Mbps这一速率与SK海力士去年10月量产的同规格产品完全对标，而长鑫存储仅在一年后就在该速率级别实现突破，意义非凡。

产品布局完善：多容量多形态满足市场需求

根据官网信息和行业消息，长鑫存储LPDDR5X的产品包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点；芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案；模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。

目前，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样，产业化进程明显加速。

技术创新：首创uPoP®小型封装，挑战0.58mm极致薄度

长鑫存储在封装技术上也实现了创新突破。官网信息显示，“长鑫存储LPDDR5X首创uPoP®小型封装，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈，开启移动智能新体验。”

更为引人注目的是，长鑫存储在上周ASICON闭幕演讲上透露，正在研发一款厚度仅为0.58mm的LPDDR5X产品。如果成功量产，这将是业内最薄的LPDDR5X产品，超越三星的0.65mm封装和美光的0.61mm封装。

据悉，长鑫存储正在开发的HiTPoP封装技术严格遵循JEDEC制定的焊球布局标准，确保与现有主板设计兼容，但通过减薄技术，有望改善因SoC温升导致的DRAM高速IO性能瓶颈。

产业价值：解决端侧AI内存带宽瓶颈

从技术与产业价值来看，10667Mbps速率的突破堪称“解渴”。当前端侧AI应用爆发，内存带宽已成为制约设备性能的关键瓶颈。

实测数据显示，搭载10.7Gbps（即10667Mbps）速率内存的设备，运行Llama 2等大型语言模型时，响应速度、语音转译等任务效率都大大提升。对旗舰手机而言，这一速率可轻松支撑8K视频连拍、高帧率游戏多开等高频场景，解决了此前国产终端完全依赖韩系内存才能实现极致性能的痛点。

产业化进程加速，对标国际先进水平

从行业演进角度看，这一进展体现了长鑫在产品化节奏上的显著提升。JEDEC于2023年7月发布LPDDR5X标准后，三星、SK海力士等厂商已在2024年实现相关产品的量产，而长鑫快速跟进，仅在一年后即推出10667Mbps的顶配速率，更通过12GB至32GB的多容量布局寻求差异化竞争。

行业人士分析，“长鑫新推出的LPDDR5X登顶10667Mbps速率的突破已标志着国产存储从‘能造’向‘造好’迈进，随着产能提升，有望快速实现全品类产品量产。”

长鑫存储此次推出LPDDR5X不仅进一步完善了其产品线，更表明国产LPDDR5X内存在实现产业化推进的同时，在核心性能上完成了与国际巨头的“对齐”，产业化进程已进入新的阶段。