【导读】1月12日消息，据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称，长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆，约占全球总产量的7%。同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。
1月12日消息，据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称，长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆，约占全球总产量的7%。同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过，因先进工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。
其中一名消息人士表示，“对于增产的部分，长江存储自2020年第三季度以来一直忙于引入和安置必要的芯片设备，以及扩大生产线。该公司目前生产64层和128层3D NAND闪存芯片，日后将逐步增加后者的比例。”
一名消息人士还指出，长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右，仍有提高的空间。不过，半导体行业的另一位高管则表示，“这已经是一个重大突破，但长江存储仍需要大量的企业合作，同时等待全球顶级客户接受并采用其NAND闪存产品。”
此前4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。
作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。据长江存储介绍，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。
2020年三季度以来，长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产64层与128层3D快闪记忆体晶片，但将逐步将更多产能转向后者。
据透露，长江存储最快将于2021年中展开192层3D NAND快闪晶片试产，将是中国半导体业者首次试产这类晶片。如三星、美光等市场一流供应商，目前仍在开发176层3D NAND晶片，而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。
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