【导读】赛灵思今天宣布推出业界首款高性能DDR4内存解决方案，赛灵思交付业界首款数据速率高达每秒2400 Mb的All Programmable UltraScale器件内存解决方案。
赛灵思公司今天宣布推出业界首款面向All Programmable UltraScale™器件的高性能DDR4内存解决方案，每秒数据速率高达2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC级架构，可支持大量I/O和超大存储带宽，并能够大幅降低功耗和时延。赛灵思稳定可靠的内存解决方案可加速设计进程，并增加了对DDR4接口的支持。
UltraScale器件中的新增DDR4内存接口可提供超过1Tb/s的存储带宽，能够满足视频成像与处理、流量管理和高性能计算等重要应用领域新一代前沿系统设计对海量数据流快速处理以及海量内存的需求。从DDR3 升级为DDR4后，应用的读取时延减少了30%，而且在相同数据速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是，从每秒1866 Mb的DDR3升级到每秒2400 Mb的DDR4后，客户不仅提升了30%的数据速率，同时还能削减20%的功耗。
这些DDR4内存接口经过严格系统条件下（例如变化的电压和温度、系统抖动）高难度数据模式的测试，可确保为实际系统部署预留工作裕量。赛灵思的SelectIO™接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM标准，有助于确保获得最大时序裕量。为保证最佳信号完整性，I/O技术还包括传输预加重、接收均衡、低抖动时钟和噪声隔离设计技术。
赛灵思公司FPGA产品管理与市场营销高级总监Dave Myron指出；“为让客户采用当今最先进的内存解决方案进行设计，赛灵思现已开始交付高性能DDR4接口，而领先的PC制造商在今年晚些时候才会推出线速较低的产品。”
美光（Micron）公司DRAM市场营销副总裁Robert Feurle表示：“当今的客户不断要求使用更高的存储带宽支持更大规模数据密集型的应用，通过与赛灵思的强大合作，美光的DDR4内存技术和赛灵思的UltraScale器件相结合，致力于为我们的共同客户提供市场领先的解决方案。”
供货进程
支持DDR4内存接口的UltraScale器件现已发货。观看使用中速级硅片和美光4G器件每秒运行2400Mb的DDR内存接口演示视频， 请点击：http://china.xilinx.com/memory 。
