【导读】随着AI服务器、企业级存储市场需求持续爆发，全球高端NAND闪存进入供需紧俏的增长周期。在此行业背景下，占据全球存储市场主导地位的三星电子与SK海力士双双加大中国市场布局力度。根据韩媒最新报道，两大韩国存储巨头正加速推进西安、大连核心工厂的技术升级与产能扩建计划，相关投资落地工作将集中在明年前后逐步完成。不同于以往单纯的产能扩容，本轮布局聚焦先进制程落地，打破了海外产线技术滞后的固有格局，让中国生产基地正式跻身全球高端存储技术研发量产一线，也将深刻影响全球存储产业的供应格局与技术走向。
韩国存储双雄加码中国：三星与SK海力士的NAND产能竞速
三星西安：冲刺280层V9 NAND量产
在三星的全球NAND产能布局中，西安工厂占据举足轻重的地位，承担着其全球约40%以上的闪存产能。此次投资的重点在于技术迭代与先进制程导入。
韩国存储双雄加码中国：三星与SK海力士的NAND产能竞速
据悉，三星电子自2026年上半年起，已在西安X2产线启动了第九代V-NAND的转换投资。第九代V-NAND采用约286层的堆叠架构，属于当前行业内最先进的闪存产品之一。为了确保这一高端产品的稳定量产，三星已将补充投资计划具体化，核心在于追加引入关键的蚀刻工艺设备——这对于在数百层堆叠结构中蚀刻出极深的通道孔至关重要。消息人士透露，相关设备采购订单预计在2026年内落地，补充投资则计划于2027年下半年开始执行，目标月产能约为4万至5万片晶圆。
SK海力士大连：重启二厂扩大版图
三星在西安大步迈进的同时，SK海力士在大连也并未缺席。作为其NAND业务的重要生产基地，大连工厂正迎来新的发展阶段。SK海力士已自2026年第三季度起，在大连第二工厂正式推进NAND产品的技术升级与设备投资，目标规模约为月产3万片晶圆。
韩国存储双雄加码中国：三星与SK海力士的NAND产能竞速
更值得关注的是，大连二厂的扩产计划曾因行业下行周期而停滞四年，随着企业级固态硬盘（eSSD）需求因AI数据中心普及而急剧增长，该计划已被重新激活。预计新产线投产后，大连基地的整体产能将提升约50%。尽管为了规避设备进口限制，SK海力士采用了“韩国生产关键层、中国进行后续工序”的分段制造策略，在一定程度上拉长了生产周期，但相较于完全绕开限制，这已是当前最优的折中方案，其对中国产线先进制程的倾斜已清晰可辨。
投资背后的深层逻辑与行业影响
韩国存储双雄此次同步加码中国NAND产能，是多重市场与产业因素共振的结果。
首要驱动力来自AI需求。AI服务器的部署需要大量高容量、高性能的企业级SSD，直接推动了高端NAND需求的激增。为了抓住这一增长红利，两大巨头必须确保足够的先进产能储备。与此同时，中国市场的战略地位不可替代——中国不仅是全球最大的半导体消费市场，其完善的产业链配套和高效的制造能力，依然是巨头们全球布局中降低成本、快速响应市场的关键一环。
而这一轮投资更深层的本质在于制程竞赛。三星直接将西安工厂升级为V9 NAND（约286层）的海外量产基地，SK海力士则重启大连工厂导入先进工艺，两者均打破了以往“海外工厂落后本土两代”的常规操作。中国工厂正从“产能中心”向“技术前沿阵地”跃迁，背后是全球AI算力竞赛倒逼下，存储巨头为缩短高端产品交付周期，不得不将最先进产能部署在最具供应链优势的地方。
对行业而言，这一布局将有效缓解全球高端NAND供需紧张，进一步巩固韩国企业的市场主导地位。而对中国半导体生态来说，全球最先进存储工艺与设备的持续落地，有望带动本土上游材料、零部件及设备验证产业链的协同发展，推动中国在全球半导体价值链上的参与深度实现实质性提升。
结论
三星与SK海力士同步加码中国NAND产能，是AI算力浪潮、市场需求与全球供应链格局多重因素叠加的必然结果。面对AI数据中心带动的高端企业级SSD需求暴涨，两大巨头通过升级西安、大连核心产线，落地286层第九代V-NAND等先进制程、重启搁置多年的扩产项目，快速补齐高端存储产能缺口，牢牢守住自身在全球存储市场的龙头优势。更关键的是，本轮投资彻底改变了过去海外工厂技术降级布局的模式，将中国基地从单纯的产能制造中心升级为全球前沿技术阵地。对于国内半导体行业而言，国际先进存储工艺、设备与产线的落地，能够带动本土存储材料、核心零部件、生产设备等上下游产业链协同迭代，助力国内存储产业生态加速成熟，持续提升我国在全球半导体存储领域的产业链地位与话语权。
