【导读】在2025中国国际半导体博览会上，国产存储芯片实现重大技术突破。CX存储以“双芯共振，5力全开”为主题，首次全面展示其DDR5和LPDDR5X产品线，标志着中国在高端存储芯片领域正式跻身全球竞争行列。
在2025中国国际半导体博览会上，国产存储芯片实现重大技术突破。CX存储以“双芯共振，5力全开”为主题，首次全面展示其DDR5和LPDDR5X产品线，标志着中国在高端存储芯片领域正式跻身全球竞争行列。
DDR5产品线：性能与容量双突破
CX存储发布的DDR5产品在性能参数上达到业界先进水平：
●最高速率达8000Mbps
●最高颗粒容量24Gb
●推出七大模组产品：UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM
这一完整的产品组合覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景应用领域，能够满足各行业对高端存储的多元化需求。特别是24Gb大容量颗粒的推出，为数据中心和高端计算应用提供了更优的存储解决方案。
LPDDR5X移动芯片：瞄准旗舰市场
针对快速增长的移动设备市场，CX存储同步展示了LPDDR5X产品：
●最高速率10667Mbps
●最高颗粒容量16Gb
●提供12GB、16GB、24GB、32GB等多种容量规格
●涵盖多种封装解决方案，满足不同移动设备的空间约束
这一产品线的完善，为智能手机、平板电脑等移动设备厂商提供了高性能的国产存储选择。
产业影响：重塑全球存储市场格局
CX存储表示，通过DDR与LPDDR双产品线的同步创新，将进一步丰富全球存储芯片供给，为下游客户创造多元化的价值选择。此次技术突破不仅展示了企业在存储芯片领域的研发实力，更体现了中国半导体产业在高端芯片领域的持续进步。
公司强调，将持续深耕技术迭代，精准响应市场需求，以自主创新能力引领产业生态协同升级，为全球存储芯片市场注入新的活力。
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