【导读】韩国存储芯片制造商SK海力士正积极推进基于10纳米级第六代（1c）DRAM的GDDR7图形记忆体量产计划。这一技术突破预计最快于2025年年底在韩国利川M16工厂实现规模化生产。
韩国存储芯片制造商SK海力士正积极推进基于10纳米级第六代（1c）DRAM的GDDR7图形记忆体量产计划。这一技术突破预计最快于2025年年底在韩国利川M16工厂实现规模化生产。
业界观察人士指出，特斯拉与英伟达将成为新一代GDDR7产品的首批主要客户。SK海力士此次制程飞跃距离其去年量产基于1b DRAM的16Gb GDDR7仅不到一年，显示出其在高端图形存储器领域明显的加速布局意图。
01 技术升级：从1b到1c纳米制程的跨越
SK海力士在图形存储器技术上的迭代速度令人瞩目。该公司去年才刚量产基于1b DRAM的16Gb GDDR7，如今迅速转向更先进的1c纳米制程。
这一制程进步意味着DRAM单元密度进一步提升，芯片能效显著增强。目前在全球GDDR7市场占据主导地位的三星电子，仍以1b纳米制程产品为核心，SK海力士的技术跃进有望改变市场竞争格局。
SK海力士计划配合主要客户新一代产品的上市时程，于2026年起全面扩大1c纳米GDDR7的供应规模。这一时间表与英伟达下一代显卡及特斯拉自动驾驶系统的更新周期高度契合。
02 战略调整：平衡产品组合应对HBM4成本压力
SK海力士加大对GDDR7的投入，与HBM4生产成本上涨密切相关。由于HBM4的“base die”制作委托台积电代工，其价格比自产高出约五到六倍。
这导致HBM3E向HBM4过渡时，总成本预计增加约30%。在这一背景下，GDDR7成为SK海力士平衡产品组合、分散成本压力的重要策略。
随着AI与自动驾驶应用带动显卡与高效能运算需求，图形DRAM市场竞争日趋激烈。SK海力士通过差异化产品布局，既保持在高利润HBM市场的存在，又通过GDDR7扩大在中高端图形存储市场的份额。
03 产能布局：利川M16工厂与EUV设备大规模投资
SK海力士已将1c制程导入GDDR7生产计划，韩国利川M16工厂将成为核心生产基地。该工厂拥有先进的芯片制造设备，能够满足大规模量产的需求。
同时，SK海力士正大举引进EUV光刻设备，计划在2027年前再添购约20台，使现有EUV设备规模扩大一倍。这一投资将加强最新规格的DRAM与HBM制造能力。
按照每台EUV设备价格约3000亿-5000亿韩元计算，SK海力士此次设备投资至少将达到6万亿韩元。新采购的EUV设备将分阶段导入，首先安装在预定年底投产的M15X工厂，后续随技术升级进度，在M16工厂进一步导入。
04 市场前景：图形存储器需求持续增长
行业分析指出，用于显卡的GDDR7和GDDR6显存价格将受到市场供需变化影响。随着AI与高性能计算需求激增，图形存储器市场迎来新的增长机遇。
SK海力士在2025财年第二季度财务报告中表示，计划在年内开始供应搭载LPDDR的服务器模组，并将目前以16Gb向AI GPU供应的GDDR7容量扩大至24Gb产品。
这一产品路线图显示，SK海力士正积极应对图形存储器市场的高容量化趋势。目前三家大型DRAM原厂均可提供16Gb GDDR7产品，而24Gb GDDR7目前为三星电子独供，SK海力士的加入将改变这一局面。
随着AI训练与推理、自动驾驶及高端游戏显卡对带宽需求的不断提升，GDDR7作为新一代图形存储器标准正迎来黄金发展期。SK海力士凭借1c纳米制程先发优势，有望在高端图形存储器市场占据更有利位置。
全球图形存储器市场的竞争已不再局限于单纯的技术竞赛，而是扩展到产能布局、成本控制与客户生态的多维度较量。SK海力士此番布局，将为未来三年全球高端芯片竞争格局带来重要变数。
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