【导读】市场研究机构Counterpoint Research最新预测指出，三星电子明年在HBM市场的份额将突破30%。这一增长预期得益于三星近期已通过英伟达HBM3E认证，以及其HBM4技术即将量产带来的竞争优势。
2025年第二季度，三星电子在高带宽内存（HBM）市场的份额降至17%，落后于SK海力士（62%）和美光（21%）。这一下滑主要源于其12层HBM3E产品此前未通过英伟达质量认证。
市场研究机构Counterpoint Research最新预测指出，三星电子明年在HBM市场的份额将突破30%。这一增长预期得益于三星近期已通过英伟达HBM3E认证，以及其HBM4技术即将量产带来的竞争优势。
01 当前市场格局：SK海力士主导，三星暂时落后
2025年第二季度全球HBM市场呈现鲜明梯队格局。SK海力士以62%的绝对优势位居第一，美光以21%位列第二，三星电子则以17%暂居第三。
韩国企业在全球HBM市场中占据主导地位，市场份额合计近80%。这一数据彰显了韩国在全球高端存储产业链中的核心地位。
三星份额下滑的主要原因在于其12层HBM3E产品在第二季度尚未通过英伟达的质量测试。由于英伟达是全球AI芯片市场的主要参与者，未能进入其供应链对三星造成了直接影响。
02 技术突破：三星HBM3E获英伟达认证，迎来转折点
经过约18个月的努力，三星电子近期已通过英伟达12层HBM3E产品的认证测试。这一突破为三星重新夺回市场份额奠定了基础。
HBM3E是当前AI芯片的关键组成部分，其总线速度超过1TB/s，成为英伟达、AMD和英特尔最新AI芯片的必备元件。三星此次技术突破意义重大，标志着其存储技术重回正轨。
三星此次通过大幅改进DRAM设计，并对HBM业务进行重资产投入，才实现了这一技术突破。这不仅关乎HBM销售带来的潜在营收，更是三星必须赢下来的技术保卫战。
03 未来布局：HBM4技术成三星翻盘关键
三星已在HBM4技术领域取得显著进展。今年7月，公司采用1c纳米工艺完成了HBM4的开发，并向主要客户发送了样品，预计年底前实现大规模生产。
三星开发的HBM4通过提高单元集成密度，与上一代产品相比能效提高了40%，数据处理速度达到11Gbps。这一性能表现有望帮助三星在高端市场建立竞争优势。
为扩大产能，三星已重启平泽第五工厂（P5）的建设。同时，该公司计划最早在2026年上半年实现HBM4的量产，并向英伟达下一代AI GPU Rubin等产品供应芯片。
04 竞争态势：三巨头技术路线图对比
HBM市场的竞争已进入白热化阶段。SK海力士作为当前市场领导者，已完成HBM4开发并准备量产。该公司计划到2027年再购置约20台EUV光刻机，以提升下一代DRAM和HBM4的制造竞争力。
美光则采取了差异化策略，完全跳过HBM3代，直接专注于HBM3E。该公司已向客户交付HBM4样品，并实现了11Gbps的业界领先速度。美光还与台积电合作生产HBM4E内存的基础逻辑芯片。
三家公司均瞄准2026年量产的HBM4技术，但三星在节点迁移方面更为积极，其HBM4基础芯片正在转向4nm FinFET工艺，旨在支持更高的时钟速度和更低的开关功耗。
05 市场前景：AI驱动HBM需求持续增长
人工智能应用对高性能存储的需求持续增长。美光科技CEO表示，HBM芯片供不应求，将成为2026年存储板块核心增长动力。预计到2026年，HBM市场规模将达到500亿至600亿美元。
Counterpoint预计，当HBM4发布时，韩国企业在HBM市场的主导地位将进一步巩固。三星若能在HBM4芯片测试中取得成功，将有望在人工智能计算核心内存领域夺回市场份额。
中国公司如CXMT和华为也在尝试开发HBM产品，但由于技术难度较高，尚未能实现有效落地。这表明HBM技术壁垒较高，三大供应商的领先地位短期内难以被撼动。
随着AI浪潮持续涌动，HBM市场已成为全球半导体竞争的焦点。三星电子凭借HBM3E认证通过和HBM4技术突破，有望在2026年实现市场份额的显著回升。这场存储领域的“三国杀”不仅关乎企业营收，更将重塑全球高端半导体产业链格局。
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