【导读】全球存储市场正因AI浪潮经历结构性转变，高容量产品需求呈现爆发式增长。在这一关键节点，三星电子却在第九代V9 QLC NAND闪存的商业化进程中遭遇了重大技术障碍。
全球存储市场正因AI浪潮经历结构性转变，高容量产品需求呈现爆发式增长。在这一关键节点，三星电子却在第九代V9 QLC NAND闪存的商业化进程中遭遇了重大技术障碍。
据多家行业媒体报道，初期V9 QLC产品存在设计缺陷，造成性能下降，迫使公司推迟上市计划。这一延迟不仅打乱了三星的产品路线图，更可能影响其在AI数据中心存储市场的竞争地位。
01 技术困境：设计缺陷导致性能下降
三星电子在V9 QLC NAND商业化过程中遇到了意想不到的技术挑战。多个行业消息源确认，初期V9 QLC产品存在设计层面的问题，直接导致了性能下降。
V9 NAND采用280层堆叠设计，代表了三星最先进的存储技术。该公司已于2024年4月开始量产首批1Tb V9 TLC NAND产品，并在同年9月宣布将量产V9 QLC NAND产品。
目前，三星正在积极进行设计和制程端的改进工作，业界预计最快2026年上半年才能完成这些技术调整。
02 市场地位：QLC领域相对落后
尽管三星仍然占据整个NAND市场的主导地位，但在QLC细分领域却明显落后。报告指出，其旗舰QLC NAND产品仍停留在V7代，而V8尚未发布QLC版本。
这种滞后正在影响三星的市场份额。根据市调机构和外资摩根士丹利的数据，预计2026年全球QLC NAND出货量中，三星占比仅为约9%，远低于SK海力士子公司Solidigm的36%、铠侠和SanDisk的29% 以及美光的17%。
与之形成对比的是，SK海力士在8月底宣布完成321层、2Tb QLC NAND的研发并量产，成为全球首款超过300层的QLC产品。
03 竞争态势：SK海力士抢占先机
SK海力士的技术突破给三星带来了巨大竞争压力。据SK海力士介绍，其321层2Tb QLC NAND产品数据传输速度是前代的两倍，写入性能提高56%，读取性能提升18%，写入功耗效率增加23%。
这些性能提升在低功耗至关重要的AI数据中心具备更强竞争力。SK海力士计划2026年上半年正式进入AI数据中心市场。
也就是说，三星第9代V-NAND QLC闪存即便在明年上半年实现量产，技术方面可能还是落后于SK海力士。
04 技术规格：层数竞赛与容量提升
三星V9 NAND采用280层堆叠设计，相比第8代V-NAND闪存的236层有了进一步提高。这种层数增加意味着更高的存储密度和容量。
今年2月，三星发布了超过400层的V10级1Tb TLC NAND，但尚未公布商用时间表。日本铠侠（Kioxia）则在2025年初展示了V10级332层NAND，但同样尚未进入量产阶段。
层数的增加不仅提高了容量，还带来了性能提升。QLC NAND在实现更高容量存储设备方面优势明显，是满足现代数据中心和AI应用海量数据需求的关键技术。
05 战略意义：AI驱动存储市场转型
V9 QLC NAND对三星高附加值内存业务至关重要。当前NAND市场因AI发展正经历结构性转变，对高容量产品的需求呈爆炸性增长。
随着近期主要云端服务供应商增加人工智能（AI）基础设施并转向高性能AI推理，对大容量存储的需求不断攀升。三星希望通过更高存储密度的QLC SSD产品来满足市场的需求。
业界人士指出，在全球大型科技公司投资及现有成熟NAND替换需求推动下，QLC NAND重要性不言而喻。
06 生产布局：全球产能扩张计划
为配合未来量产，三星计划扩大V9 NAND生产能力。在韩国和中国两地已小规模导入V9 NAND生产线，预计总生产能力将提升。
三星正在其平泽园区和中国西安的晶圆厂进行转换投资。尽管具体投资规模尚未确定，但预计总生产能力将进一步提升。
这些投资表明三星正在为2026年的大规模量产做准备，以期在问题解决后能够快速满足市场需求。
存储技术的竞争正在进入白热化阶段。三星V9 QLC NAND的延迟不仅是一个技术问题，更是全球存储市场竞争格局的缩影。
随着AI和数据中心需求的持续增长，QLC NAND市场的重要性日益凸显。三星能否在2026年上半年解决技术问题并成功量产，将直接影响其在未来存储市场的地位。
对于三星来说，克服V9 QLC NAND的技术挑战，意味着能否抓住AI时代带来的市场机遇，并在高容量NAND市场重新确立领先地位。未来几个月的技术改进成果将成为业界关注的焦点。
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