【导读】全球存储市场迎来新一轮涨价潮，生成式AI创造的海量数据正急剧冲击存储基础设施，HDD短缺造成的存储缺口正在推动QLC和TLC NAND需求快速上升。
全球存储市场迎来新一轮涨价潮，生成式AI创造的海量数据正急剧冲击存储基础设施，HDD短缺造成的存储缺口正在推动QLC和TLC NAND需求快速上升。
2025年全球存储市场迎来价格拐点。AI应用从训练向推理与边缘设备延伸，催生了对大容量存储器的巨大需求。
美光科技已向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价。
此前，NAND闪存原厂闪迪继4月全系涨价10%之后，再次宣布针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%的普涨。
01 价格动态：存储市场全面上涨
全球存储市场已进入明确的价格上行周期。2025年上半年，全球NAND Flash市场综合价格指数上涨9.2%，全球DRAM市场综合价格指数上涨47.7%。
据DigiTimes 9月17日发布的数据，2025年第四季度NAND和DRAM的合同价格预计上涨15-20%。这一涨幅在传统的行业淡季显得尤为罕见。
西部数据已通知HDD全部产品线涨价，交货周期拉长至6-10周。汽车电子领域的存储产品涨幅更高，预计达70%。
02 AI驱动：数据爆炸冲击存储基础设施
生成式AI带来的数据爆炸是此次涨价潮的核心驱动力。AI创造的庞大数据量正冲击全球数据中心存储设施。
OpenAI推出文生图功能，Google也推出新文生视频功能，引发视频生成热潮，对存储空间需求更大。这些AI应用生成的内容需要大量存储空间。
随着AI推理应用扩张，2025-2027年数据中心存储需求年复合增长率可达18%，推动HDD与eSSD需求增长。
03 HDD短缺：引发连锁反应
传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD（近线硬盘）已出现严重供应短缺。目前NL HDD交期已从原本的数周，急剧延长为52周以上。
全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线，无法及时满足AI刺激的突发性、巨量储存需求。这加速扩大了云计算服务供应商的储存缺口。
目前云服务商存储需求缺口约180-200EB，超2025年QLC NAND预估供应量173EB。缺口扩大可能导致QLC涨价效应外溢至TLC SSD，推升整体NAND价格。
04 成本比较：HDD与NAND的经济学
从初期资本支出角度来看，HDD仍然是成本最低的存储方案。TLC与QLC NAND成本，分别约为HDD的7.3倍和3.3倍。
若HDD持续短缺、QLC价格下降，存储成本逼近HDD三倍，会吸引更多供应商采用。QLC SSD不仅效能较佳，而且可节省约30% 的耗电量。
QLC SSD要迈向大规模部署须先解决成本和供应链的双重挑战。考虑到高容量产品的产能有限，SSD供应商不愿意大幅降价。
05 市场展望：涨价趋势仍将持续
买卖双方将有一场价格博弈，带动2025年第四季整体Enterprise SSD合约价季增5-10%。部分主要存储厂商计划在本季度将NAND闪存价格上调30%。
预计到2026年下半年，可能出现闪存供应紧张的局面。从闪存类型来看，QLC产品因具备成本优势，更适合满足AI基础设施对大容量存储的需求。
国产存储产业链迎来发展机遇。国内AI基础设施建设持续扩张有望带动国产企业级存储市场扩容，国产企业级存储厂商有望充分受益。
存储市场正在经历一场由AI驱动的结构性变革。随着AI从训练向推理与边缘设备延伸，大容量存储器需求持续升温，供应趋紧的局面预计将持续到2026年。
云服务提供商已开始就2026年的批量采购订单进行谈判，数据中心将下达容量达数十艾字节（EB） 的企业级固态硬盘订单。这意味着当前涨价趋势可能只是开始，存储市场正进入一个新的增长周期。
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