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美国芯片自主化加速,德州仪器豪掷600亿美元建设7个芯片厂

发布时间:2025-06-19 责任编辑:lina

【导读】全球模拟芯片龙头德州仪器(TI)正式宣布,将在美国得克萨斯州与犹他州启动总规模超600亿美元的半导体制造扩张计划,涵盖七座芯片工厂的新建与扩建。这一被业界称为"美国半导体史上最大基础制造投资"的布局,不仅标志着全球芯片产业链重构进入新阶段,更凸显在《芯片与科学法案》框架下,美国企业通过产能本土化应对地缘竞争的战略转型。


全球模拟芯片龙头德州仪器(TI)正式宣布,将在美国得克萨斯州与犹他州启动总规模超600亿美元的半导体制造扩张计划,涵盖七座芯片工厂的新建与扩建。这一被业界称为"美国半导体史上最大基础制造投资"的布局,不仅标志着全球芯片产业链重构进入新阶段,更凸显在《芯片与科学法案》框架下,美国企业通过产能本土化应对地缘竞争的战略转型。


美国芯片自主化加速,德州仪器豪掷600亿美元建设7个芯片厂


投资布局与技术路线


根据德州仪器最新披露的路线图,600亿美元投资将分阶段落地:

●得州谢尔曼基地:作为核心战略要地,将新建两座采用4nm先进制程的12英寸晶圆厂,单厂投资规模达180亿美元,预计2027年实现量产,月产能目标直指10万片晶圆。

●犹他州李海基地:改造现有8英寸厂并新建3座模块化工厂,重点布局工业级模拟芯片产线,采用自主研发的CMOS-SOI工艺,计划2026年形成完整供应链体系。

●得州理查森园区:扩建现有封装测试中心,引入AI驱动的智能生产线,将良品率提升至99.8%的行业新标杆。


地缘博弈与产业政策驱动


此次投资决策蕴含深层战略考量:

1. 应对中国产业链冲击:面对中国企业在模拟芯片市场份额突破35%的态势,TI通过本土化生产缩短供应链周期,计划将汽车芯片交付周期从24周压缩至12周。

2. 政策红利兑现:已获《芯片法案》16.1亿美元直接补贴及25%投资税收抵免,综合成本优势较海外厂区提升18个百分点。

3. 技术主权争夺:新建工厂将承载TI第三代氮化镓(GaN)功率器件研发,瞄准电动汽车充电桩等新兴市场。


市场反响与行业影响


尽管资本市场对资本支出激增存在争议,但TI管理层给出明确时间表:

●2025-2027年为建设高峰期,资本支出占营收比将达35%的历史峰值

●2028年起通过产能利用率提升,自由现金流年复合增长率有望回升至15%

●承诺2030年前维持股息支付率60%以上,并通过回购计划对冲短期估值压力


典型应用场景展望


新建工厂将重点支撑三大领域:

1. 新能源汽车:为特斯拉Cybertruck等车型定制的7nm车规级MCU,算力较现有产品提升4倍

2. 5G通信基站:采用3D封装技术的射频前端模块,功耗降低30%

3. 工业自动化:具备自诊断功能的智能传感器芯片,响应时间突破1微秒大关


结语


德州仪器这项创纪录的投资计划,既是美国重振半导体制造实力的标志性事件,更是全球芯片产业格局重塑的缩影。当模拟芯片这个看似"传统"的领域成为大国科技博弈的新战场,TI选择用真金白银的产能投入构筑竞争壁垒。这场豪赌的成败,或将决定未来十年全球半导体供应链的权力版图。


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