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AI服务器+PC升级双驱动,十铨乐观看Q3 DRAM涨幅3%-5%

发布时间:2025-06-04 责任编辑:lina

【导读】在2025年半导体市场持续回暖的背景下,存储模组厂商十铨科技释放重要信号:受AI服务器需求激增、原厂产能向高端制程倾斜及消费电子升级潮三重因素推动,第三季度DRAM价格涨幅有望达3%-5%,NAND Flash价格也将维持上行通道。这一预测为下半年内存市场走势定下基调。


在2025年半导体市场持续回暖的背景下,存储模组厂商十铨科技释放重要信号:受AI服务器需求激增、原厂产能向高端制程倾斜及消费电子升级潮三重因素推动,第三季度DRAM价格涨幅有望达3%-5%,NAND Flash价格也将维持上行通道。这一预测为下半年内存市场走势定下基调。


AI服务器+PC升级双驱动,十铨乐观看Q3 DRAM涨幅3%-5%


DRAM涨价三大推手浮出水面


十铨总经理陈庆文在法说会上剖析涨价逻辑:AI服务器对HBM及高阶DDR5的狂热需求,正迫使三星、美光等原厂将DDR4产能压缩至总量的20%以下。与此同时,英特尔Arrow Lake处理器平台引发的PC换机潮,使DDR4模组需求不降反增,形成"高端缺货、中端抢购"的特殊景象。值得注意的是,工控领域80%设备仍依赖DDR4的客观现实,成为支撑该品类价格的最后防线。


NAND Flash减产效应持续发酵


尽管消费电子端需求复苏不及预期,但原厂减产策略仍在发挥效力。十铨库存数据显示,NAND Flash颗粒库存周转天数已降至85天,较去年峰值缩减30%。其中,企业级SSD因数据中心建设加速,成为拉动NAND Flash价格的主力军,2TB以上容量产品合约价较年初上涨12%。


模组厂精准卡位工控需求


面对市场变局,十铨采取"DDR4战略储备+DDR5技术跟进"的双轨策略。当前公司DDR4库存占比达44%,较行业平均水平高出15个百分点,其中工业级颗粒储备量更创下三年新高。这种布局已初见成效:二季度工控领域订单量环比增长23%,部分客户为确保供应安全,甚至接受提价10%的特殊条款。


价格趋势分化中的机遇


市场研究机构DRAMeXchange指出,内存市场正呈现结构性分化:

  • DDR5领域:受HBM产能挤占影响,16Gb DDR5颗粒现货价维持在4.8美元高位,较DDR4溢价达78%

  • DDR4领域:8Gb DDR4颗粒价格从底部反弹22%,但原厂减产计划使供应缺口持续扩大

  • NAND Flash:企业级QLC SSD因TCO优势,正在云计算市场加速渗透


产业观察:库存策略成胜负手


在价格波动加剧的市场环境中,模组厂的库存管理能力成为核心竞争力。十铨当前保持3-4个月的安全库存水位,较行业平均水平多出1个月缓冲期。这种策略使其既能规避原厂涨价风险,又能在需求反弹时快速响应。据测算,合理的库存管理可为模组厂创造3-5个百分点的毛利率优势。


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