【导读】在2025年半导体市场持续回暖的背景下，存储模组厂商十铨科技释放重要信号：受AI服务器需求激增、原厂产能向高端制程倾斜及消费电子升级潮三重因素推动，第三季度DRAM价格涨幅有望达3%-5%，NAND Flash价格也将维持上行通道。这一预测为下半年内存市场走势定下基调。
在2025年半导体市场持续回暖的背景下，存储模组厂商十铨科技释放重要信号：受AI服务器需求激增、原厂产能向高端制程倾斜及消费电子升级潮三重因素推动，第三季度DRAM价格涨幅有望达3%-5%，NAND Flash价格也将维持上行通道。这一预测为下半年内存市场走势定下基调。
DRAM涨价三大推手浮出水面
十铨总经理陈庆文在法说会上剖析涨价逻辑：AI服务器对HBM及高阶DDR5的狂热需求，正迫使三星、美光等原厂将DDR4产能压缩至总量的20%以下。与此同时，英特尔Arrow Lake处理器平台引发的PC换机潮，使DDR4模组需求不降反增，形成"高端缺货、中端抢购"的特殊景象。值得注意的是，工控领域80%设备仍依赖DDR4的客观现实，成为支撑该品类价格的最后防线。
NAND Flash减产效应持续发酵
尽管消费电子端需求复苏不及预期，但原厂减产策略仍在发挥效力。十铨库存数据显示，NAND Flash颗粒库存周转天数已降至85天，较去年峰值缩减30%。其中，企业级SSD因数据中心建设加速，成为拉动NAND Flash价格的主力军，2TB以上容量产品合约价较年初上涨12%。
模组厂精准卡位工控需求
面对市场变局，十铨采取"DDR4战略储备+DDR5技术跟进"的双轨策略。当前公司DDR4库存占比达44%，较行业平均水平高出15个百分点，其中工业级颗粒储备量更创下三年新高。这种布局已初见成效：二季度工控领域订单量环比增长23%，部分客户为确保供应安全，甚至接受提价10%的特殊条款。
价格趋势分化中的机遇
市场研究机构DRAMeXchange指出，内存市场正呈现结构性分化：
-
DDR5领域：受HBM产能挤占影响，16Gb DDR5颗粒现货价维持在4.8美元高位，较DDR4溢价达78%
-
DDR4领域：8Gb DDR4颗粒价格从底部反弹22%，但原厂减产计划使供应缺口持续扩大
-
NAND Flash：企业级QLC SSD因TCO优势，正在云计算市场加速渗透
产业观察：库存策略成胜负手
在价格波动加剧的市场环境中，模组厂的库存管理能力成为核心竞争力。十铨当前保持3-4个月的安全库存水位，较行业平均水平多出1个月缓冲期。这种策略使其既能规避原厂涨价风险，又能在需求反弹时快速响应。据测算，合理的库存管理可为模组厂创造3-5个百分点的毛利率优势。
推荐阅读：
