【导读】2025年第二季度，全球存储市场迎来剧烈波动。受美国暂停半导体进口关税90天政策刺激，叠加三星、SK海力士等头部厂商加速退出DDR4市场，DRAM现货价格自3月起连续上涨，其中DDR4产品涨幅超20%，DDR5涨幅达5%，创下2023年以来最大单季涨幅。
2025年第二季度，全球存储市场迎来剧烈波动。受美国暂停半导体进口关税90天政策刺激，叠加三星、SK海力士等头部厂商加速退出DDR4市场，DRAM现货价格自3月起连续上涨，其中DDR4产品涨幅超20%，DDR5涨幅达5%，创下2023年以来最大单季涨幅。
价格走势与驱动因素
根据DRAMeXchange数据，4月PC用DDR4 8Gb颗粒现货价飙升至1.65美元，环比涨幅22.22%；企业级256GB RDIMM模组价格突破180美元，较年初上涨23%14。此轮涨价由两大核心因素推动：
1. 关税窗口期抢运：戴尔、惠普等厂商在90天缓冲期内启动大规模备货，5月中国对美存储芯片出口量激增60%，渠道库存降至1.2个月低位；
2. DDR4产能收缩：三星、SK海力士计划年内停产DDR4，将产能转向HBM和DDR5，导致DDR4供给锐减。目前三大原厂DDR4产能占比已从30%降至15%，中国台湾及大陆厂商承接转单需求。
产业链策略分化
原厂转向高端市场：SK海力士HBM3E良率突破85%，计划2026年量产带宽提升50%的HBM4E；美光HBM产能全年售罄，2025年HBM市场规模预计突破380亿美元；
●模组厂库存博弈：威刚、南亚科技等厂商将DR4库存水位提升至4-5个月，以应对年底潜在缺货风险，同时加速DDR5技术储备。
需求端结构性变化
尽管消费电子需求疲软（智能手机Q2出货量同比下滑2%），但AI服务器、车用电子及工业控制领域需求强劲：
●AI服务器带动HBM采购量占比提升至38%，推动高带宽内存价格季度上涨18%；
●车规级DRAM因认证周期长、供给刚性，成为价格抗跌主力，LPDDR4X产品价格稳定在2.1-2.3美元区间。
市场展望与风险提示
TrendForce预测，2025年DRAM行业营收将增长51%，但价格回升依赖政策刺激与产能调控，若Q3消费电子复苏不及预期，恐引发库存调整风险9。中国厂商如长鑫存储加速8Gb DDR4量产，计划年内推出15nm工艺产品，或重塑中低端市场格局。
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