【导读】据韩媒报道，三星、SK海力士为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产新一代HBM产品---HBM4。
从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E，I/O接口数为每颗芯片1,024个，拥有超过2,000个以上I/O接口的HBM尚未问世。
不过，随着I/O接口数增加，制程难度也将拉高。据悉，两家厂商对自身接近100%的HBM良率皆充满自信，目标通过革新技术巩固市场主导地位。
市调机构预测2023年HBM市场年成长率约为50%，近期直接上调至100%以上，且预测2024年成长率也将超过100%。
据CFM闪存市场数据，得益于先占HBM事业，SK海力士2023年第2季DRAM市占率季增7.9个百分点，达32.2%；三星则季减4.6个百分点，从42.7%下降到38.1%，两者差距也从18.4%缩小到5.9%。
在HBM市场的快速成长下，三星、SK海力士准备将2024年HBM产能提高至2倍以上，预计两家业者的HBM竞争也将更加激烈。
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