【导读】9月20日消息，存储芯片在经过史上最长的库存调整期后，近期属合约市场下游的业者，已被原厂通知今年四季度的合约价要涨价，这也让合约市场客户在9月份可以有时间向其下游通知涨价，这一波涨价由8-9月份现货市场开始反弹，走现货的模块厂率先反应，报价则可快速反应，而合约市场则会在四季度陆续落实涨价。
目前五到六家原厂DRAM三大原厂、Nand Flash经过长达超过五季的最长修正期，原厂也在去年底、今年初陆续开始减产，但在终端需求不振以及减产需要时间发酵的情况下，对內存市况的拉抬一直并不明显，每每听闻喊涨，但都难成气候。
而现货市场终于在8月起开始启动，更特别的是，过去市场总认为，DRAM的原厂家数少、供给厂商有限，应该较有机会率先反弹，而Nand Flash原厂较多，各家的状况不一致，营运策略不同，再加上消费性电子需求不振，应该会是较晚复苏。基于此，之前市场认为，DRAM可能要等到今年四季度、Nand Flash要等到明年一季度才有机会看到较明显的增长力度，但这次反而自8月开始，由Nand Flash开始出现上涨，预计四季度合约价也将是Nand Flash的价格涨幅胜于DRAM。
目前按照存储原厂发出的通知显示，按照不同产品，Nand Flash四季度的合约价有机会上涨10%-20%、DRAM则约上涨10%，几乎都有双位数的涨幅。
今年8月初，业内就传出消息称，三星已通知客户，打算将512Gb NAND Flash晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。并有两大厂商私下证实，并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位，未来不会再出现了”。随后在9月初，业内传出消息称，美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%，这将有助于改善美光下半年获利。
业界人士评价，这一轮存储芯片原厂涨价的立场坚定明确，有可能是因为手上已握有大厂大单，产能已有特定订单可消耗，在减产的背景之下，看准供需有机会出现供需缺口，因此才决定了要涨价，这也将有望终结这一轮存储芯片市场的量价齐跌的走势。
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