突发消息，威腾电子与存储器大厂铠侠周三（9日）表示，由于闪存原料遭到污染，导致日本两座存储器厂产能出现问题。
作为拥有 20 年历史的合资企业的一部分，铠侠和西部数据经营着多家 NAND 生产工厂。其中位于日本的四日市和 Kiakami 工厂都受到了污染，导致生产中断。
铠侠表示，3D NAND Flash是主要受影响的产品，该产品用于各种 SSD 和其他产品，并希望“早日恢复正常运行”，这意味着生产已经停止。该公司没有说明其产能受到了多少影响。
西部数据的声明提供了更多细节，称该问题将使其产量“至少”减少 6.5 艾字节。两家公司都没有给出完全恢复生产的确切时间表。然而，鉴于 3D NAND 闪存的周期时间长（完成一个 3D 闪存芯片可能需要两到三个月的时间），任何中断仍将在生产重启后的几个月内产生影响。
计算机存储单位一般用字节(Byte)、千字节(KB)、兆字节(MB)、吉字节(GB)、太字节(TB)、拍字节(PB)、艾字节(EB)、泽它字节(ZB，又称皆字节)、尧它字节(YB)表示。
1EB=10亿GB
在芯片短缺仍未缓解之际，此消息为供需紧绷的市场带来新的挑战，闪存是许多电子设备的重要零件之一，应用范围涵盖从苹果的 iPhone 到超级计算机。
市场调查机构Omdia 26日公布的数据显示，今年第三季度三星电子在全球NAND闪存市场中的占有率为34.5%位居榜首，前六位全部被美日韩企业包揽，今年增长势头强劲的中国长江存储紧随其后。
韩联社报道称，三星电子自2002年夺得世界NAND闪存市场冠军后，已连续20年位居榜首。目前全球NAND闪存市场呈现“多头竞争”态势，日本铠侠占据全球市场第二位（19.5%），其后依次是SK海力士（13.6%）、西部数据（13%）、微软（9.9%）和英特尔（5.9%）。随着中国市场监管部门最近批准SK海力士收购位于大连的NAND闪存制造工厂，其市场份额未来有望超过日本铠侠跃居全球第二。
韩国半导体业内人士表示，全球NAND闪存市场中，短期内三星电子的头部地位很难动摇。
对于这两座工厂材料受污染导致停工一事，台湾地区知名半导体行业分析师陆行之表示：“我从1995年看半导体行业开始，就觉得很奇怪，每次存储器或者半导体下行跌价周期来了，总是意外来个地震、火灾、材料污染、停电来给供给踩个刹车，把价格稳住。”
陆行之强调，这到底是出乱子的频率太高（无论上行、下行周期都发生），是老天爷在作弄，还是人在作怪，好想知道这些半导体公司的保险公司是如何应对的。
事实也确实如此，不时出现的火灾、停电、地震、材料污染、罢工，让芯片达到供需平衡这条路太难走了。
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