【导读】据台媒工商时报消息，研调机构TrendForce预估2022年DRAM产值达915亿美元，微增年增0.3%，预期明年DRAM平均销售单价将年减15%，价格下滑在上半年较为明显；下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，明年下半年可望扭转跌价态势。
根据TrendForce研究显示，2022年的DRAM供给位元成长率约18.6%，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅17.1%，明年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。儘管DRAM价格将因供过于求而出现下滑，但在寡占市场型态下，整体产值不会大跌，预估2022年的DRAM总产值将达915.4亿美元，仍年增0.3%。
TrendForce以明年各季度的供过于求比例（sufficiency ratio）作为预测基础，预期DRAM平均销售单价将年减15%，并预估价格下滑幅度在明年上半年较为明显；预料明年下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，均价跌幅将收敛，不排除有持平或涨价的可能性。
NAND Flash方面，2022年供给位元年增长率约31.8%；需求位元年成长幅度为30.8%，故明年NAND Flash价格也将受供过于求影响而有所下滑。由于NAND Flash属完全竞争市场，均价下滑的幅度较DRAM更加明显，然NAND Flash在层数结构的堆迭持续推进，故在供给位元成长维持在30%以上，预估2022年NAND Flash总产值达741.9亿美元、年增7.4%。
同样以明年各季度的供过于求比例（sufficiency ratio）作为预测基础，推估2022年平均销售单价将年减18.0%，价格下滑幅度也是在明年上半年度较为明显，明年下半年起将受惠于旺季需求效应带动，均价跌幅较为收敛，或有单季价格持平的可能性。
TrendForce指出，整体而言，DRAM与NAND Flash由于两者竞争型态的不同，DRAM基本上在产能扩张上较有纪律，故长期均价的波动性较小，同时20奈米以下制程微缩已经逐渐达到物理极限，使得年度位元成长增幅有限。
相对而言，NAND Flash在产能扩张的规划较不稳定，加上产品的层数能持续提升，故长期均价的波动性较大。
从资本支出来看，DRAM方面，近年来其整体资本支出对营收占比（CAPEX to sales ratio）逐渐升高有两大原因，首先，由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限，在20奈米制程以后，除了美光（Micron）1alpha奈米造就近30%的单晶圆位元成长外，其他从1X奈米转至1Y奈米、或者1Y奈米转至1Z奈米制程，成长已经收敛至15%以内。2022年三星（Samsung）与SK海力士（SK hynix）的最先进制程将导入关键机台EUV，由于该机台的生产交期长且造价高昂，使得三大原厂纷纷提前提拨大笔的资本支出，以因应EUV的前置订单。
其次，DRAM已形成寡占市场型态，即使出现均价下跌周期，也因为供应商的生产秩序，销售均价难以跌破总生产成本，DRAM原厂能够获利。由于制程转进不易，除三大原厂以外，市占较小的南亚科(2408)、华邦电(2344)皆有扩产计画，成为DRAM市场资本支出对营收占比（CAPEX to sales ratio）持续升高的另一大原因。
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