【导读】根据知情人士透露，西部数据收购全球第二大 NAND 闪存芯片供应商铠侠的交易谈判陷入僵局。报道称，双方的谈判目前被搁置，不过后续仍有可能恢复。据悉，阻碍谈判进程的因素之一是西部数据股价下跌。
西部数据是全球知名的硬盘厂商，其在 2016 年斥资 180 亿美元收购闪迪进军闪存市场之后仍不满足，又决定在近期斥资 200 亿美元收购日本铠侠公司。铠侠此前是东芝旗下的东芝存储（TMC），在出售掉 60% 股份给资本机构之后，东芝存储不能再使用东芝品牌，去年全面改名为铠侠（Koxia），铠侠目前是全球第二大闪存提供商，同时也是西数的合作伙伴，二者在产品研发和生产上有着紧密的合作。
此前有机构预测，一旦西数对铠侠的收购完成后，西数将一跃成为全球第一大闪存提供商，其市场份额或将达到 35%，略高于目前排名第一的三星。除了这次股价下跌的因素对收购产生不利影响外，来自日本国内的反对声音也为收购蒙上了一层阴影。作为日本最知名的闪存制造商之一，日本不太愿意让如此重要的公司被美国收购。
铠侠背后的东芝公司也有自己的战略布局。
目前在铠侠和西数的合作中，来自日本的技术和生产占了主导地位，因此就算最终收购达成，日本也要求要保留铠侠在日本方面的运营。
去年，铠侠一度计划上市（IPO），但受到客户订单的影响，不得不暂时折戟。但铠侠似乎还没放弃IPO，并表示仍在考虑合适的上市时机，最终可能在明年。
事实上，在芯片收购上命运多舛的不止这一家美企。
10月13日有消息称，英伟达斥资550亿美元收购ARM的计划也要泡汤。欧盟、英国等已经宣布要对这项交易展开全面调查，漫漫审查之路让英伟达的收购计划更加难以通过。
据悉，欧盟27国、英国、美国等都十分担心英伟达收购ARM后，滥用ARM在芯片架构市场上的主导地位，不愿意授权给与其有竞争关系的企业，因此阻止这一收购案的推进。
随着欧洲国家对反垄断调查更加严格，未来，美企想要通过收购同行，来主导芯片市场，难度将非常大。
铠侠为何是香饽饽？
技术永远是王道，据悉，铠侠将研发5nm光刻机，光刻机购买成本降低40％
在半导体加工工艺进入到10nm节点以后，EUV加工工艺是免不了的，可是EUV光刻机价格更是高达10亿一台，并且生产量比较有限，造成 芯片加工成本费用很高。日本铠侠公司如今协同伙伴开发设计了新的加工工艺，可以不应用EUV光刻机，加工工艺直至5nm。
据据日媒报道，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，及其光罩、模板等半导体零组件生产商DNP战略合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研制纳米压印微影技术应用(NIL)的大量生产技术应用，铠侠已把握15nm大量生产技术应用，现阶段已经在开展15nm以下技术研发，预估2025年达成。
与现阶段已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程微小化技术应用相比较，NIL更为减少能源消耗且大幅度减少机器设备成本费用。
因NIL的微影制程较单纯，用电量可放低至EUV生产方式的10%，并让机器设备项目投资减少至40%。
而EUV机器设备由ASML独家生产供货，不仅价位高，且需要很多检测设备配合。
现阶段NIL在大量生产上仍有许多难题尚需处理，包含更非常容易因微小尘埃而产生瑕疵等难题。
假如铠侠能成功率先引进NIL大量生产技术应用，有望填补在机器设备项目投资竞赛中的不良局势，又能满足治理空气污染的要求。
国内闪存芯片技术如何？
以声音和文字为核心的数据通信时代已经过去，行业迎来了海量数据流通的5G和大数据时代，与之相应，大容量存储设备的重要性与日俱增。因此，闪存在第四次工业革命的大环境中占据一席之地，可以说是时代发展的必然趋势。
以过去十年为例，闪存介质快速崛起，硬盘容量从数百GB走向数十TB；新型网络互联技术不断迭代，各种各样的新概念迭起，比如数据分级、重复数据删除、RAID 2.0、分布式EC、FCoE、NVMe等；多样的新型态存储技术不断更新，比如融合存储、CI、HCI、公有云存储、SDS、对象存储等。
信息技术盛行的当下，作为信息产业关键底座的存储系统，也在发生巨大的变化。芯片在现代科技发展中起着举重轻重的作用，大到航空、航天小到各种家用电器，都离不开它们的连接控制。
国内自主研发的芯片，其中发展最快的可能要算存储芯片，特别是紫光集团旗下的公司，在内存DRAM以及闪存NAND芯片部分，都已经有上市的产品。当然这其中比较突出的还是长江存储的NAND闪存芯片，目前市面上已经有多家存储公司采用长江存储的闪存芯片打造固态硬盘，而且性能部分并不输给海外品牌的闪存。
提到长江存储，这家公司早在2018年就宣布推出自家Xtacking架构3D闪存，不过当时还是32层堆叠，在国际上技术不算领先。不过到了今时今日，长江存储已经可以推出128层堆叠的闪存颗粒，效率和技术提升之快，的确让人有一些吃惊。而且更关键的是，长江存储的128层堆叠闪存颗粒，目前市面上已经有成品固态硬盘销售，将好的技术商业化，这显然对国内公司而言，更有意义。
之前国内存储公司阿斯加特推出了一款名为AN4的NVME SSD，采用PCI-E 4.0×4的接口，采用的就是长江存储的128层堆叠闪存颗粒，读取速度最高达到了7500MB/s，而写入速度也能达到5500MB/s。尽管这款产品的产能和良率都还算不上太好，但仅从性能上来看，国产的闪存颗粒，完全不输给国外的闪存颗粒，由此也算见证了长江存储的技术实力。
目前长江存储的128层堆叠的闪存颗粒有两款型号，分别是X2-6070以及X2-9060，前者虽然采用的是QLC颗粒，但拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量；后者则是目前主流的3D TLC颗粒，也就是目前用于民用市场固态硬盘产品所采用的颗粒，比如阿斯加特的AN4就使用的X2-9060这款闪存颗粒。
从技术角度来看，长江存储的128层堆叠产品采用的Xtacking架构已经升级到了2.0，可进一步释放3D闪存的性能，其基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。日前也有一些海外媒体购买阿斯加特的AN4固态硬盘进行拆解，并借此对长江存储的128层堆叠TLC颗粒进行分析。
AN4 1TB SSD采用了长江存储128层堆叠的512Gb TLC芯片，尺寸为60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，相比使用第一代Xtacking 1.0技术的芯片提高了92%。长江存储Xtacking混合键合技术使用了两片晶圆来集成3D NAND器件，因此可以找到两个核心，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。其单元结构是由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与铠侠的112层堆叠的BiCS 3D NAND闪存在结构上的工艺相同。
虽然现在三星、镁光、海力士也有128层堆叠的闪存颗粒，但从密度来看，长江存储的裸片尺寸更小，密度也更高，很显然拥有更出色的工艺。所以海外媒体也认为长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面，都足以和其他一线闪存公司的产品竞争，在技术上已赶上其他像三星、镁光这样的行业领跑者。
当然就像我们以前说过的那样，尽管在技术上已经追了上来，但是国内存储公司的生产规模相比海外这些一流厂商，还是有很大的差距，这在商业上会比较吃亏。阿斯加特在生产了一批AN4后，就没有后续出货量跟上，现在更是全网下架了这款产品，很大原因也是产品的供应跟不上，这其中和长江存储的出货量有限不无关系。
当然生产规模我们可以慢慢提升，长江存储在技术上的突破依然值得国人欣喜，毕竟在存储领域，国产芯片在技术和性能上毫不逊色于三星、镁光这样的顶级大厂，之前还是比较少见的。未来我们也希望有更多长江存储这样的厂商，能为消费者提供性能出色的产品，只有这样我们自己的半导体事业才能快速地发展下去。
文章来源： 手机中国，知识爆料菌，杰夫视点
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