【导读】内存厂商的新战斗正在悄悄打响，现在SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法，公司的第四代10nm（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年7月初开始量产。
终端市场需求的持续增强，推动DRAM价格大幅调涨，存储厂商在陆续发布二季度营收的同时，也纷纷看好存储芯片在第三季将继续延续上涨势头。威刚预计第三季DRAM合约价涨幅将达双位数，美光则认为DRAM和NAND供应将在2022年继续保持紧张。
近日几大DRAM厂商也开始释放有关EUV的消息，SK海力士宣布开始量产EUV技术的第四代10纳米级DRAM，美光则表示有意采购并规划2024年量产准备。
DRAM Q3涨幅达两位数，NANDFlash 报价维持强势
承接产品涨价和需求大量增长等因素，多家存储厂商第二季度财报都较为亮眼。台湾厂商南亚科受惠于第二季DRAM平均销售价格上涨30％，推升合并营收达266.37亿元新台币。威刚因掌握DRAM及NAND Flash涨价优势，并充分满足客户需求，第二季合并营收为106.21亿元新台币。华邦电受惠于利基型DRAM、NOR Flash、SLC NAND等三大产品线出货畅旺及价格调涨，第二季合并营收252.34亿元新台币。韩媒预计三星和SK海力士第二季度的DRAM、NAND Flash的合计营收报年增 16.7% 至 233 亿美元。
由于存储类芯片供不应求，多家厂商预测价格会调涨到年底，看好下半年营收会逐季升高。
据台媒报道，威刚预计DRAM合约价格将在2021年第三季度出现两位数环比上涨，其中低功耗DRAM价格将上涨逾15%。NANDFlash方面，报价提前在上半年回温，随着SSD出货持续成长，也将带动NAND Flash供不应求热况延续到今年第4季，报价也将维持强势。南亚科总经理李培瑛表示，目前看来DRAM第三季将逐月或逐季调涨，但涨幅不会像第二季那么大，第四季价格有机会续涨或与上季持平。华邦电方面，预计下半年内存供给持续吃紧，利基型DRAM、NOR Flash、NANDFlash等价格续涨，法人看好华邦电直接受惠，营收将逐季创下新高。
厂商加快布局EUV
近日几大DRAM厂商也开始释放有关EUV的消息。SK海力士近日对外公布采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产。美光的进程稍慢，目前正跟ASML展开采购谈判工作，预计2024 年将开始生产采用EUV光刻机所生产存储器。
三星方面则面临晶圆代工良率改善的难题，有韩媒报道，三星华城园区的V1厂5nm等部分工艺良率低于50%。三星的V1为EUV专用厂，于2018年动工，2020年2月完工，是全球首座极紫外光(EUV)专用半导体厂，迄今累积投资至少20万亿韩元(约180亿美元)。对于传闻，三星方面表示具体的良率量产不便对外公开，全部产线正按计划进行生产。
由于三大DRAM厂已加快进行EUV的布局，台湾厂商也在陆续跟进。
南亚科总经理李培瑛表示，EUV的使用会是长期的发展趋势，不会突然间爆发，加上采购EUV曝光机的时间长，未来厂商的规划多数会以新产能的应用为主，因为应用在旧产能上不符合经济效益，所以在2022年对市场影响不会太大。目前规划兴建中的12寸新厂未来将导入EUV设备，但南亚科第三代10nm制程可能还不会采用EUV技术，而是在未来1~2年进行相关技术准备，并选择以合作方式进行。
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