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美光执行长:记忆体吃紧到明年

发布时间:2021-07-02 来源: 责任编辑:wenwei

【导读】记忆体大厂美光(Micron)执行长Sanjay Mehrotra在法说会中表示,随着新冠肺炎疫情之后的全球经济反弹,记忆体强劲需求涵盖资料中心及云端运算,以及终端边缘运算及行动装置,预期DRAM及NAND Flash供给吃紧情况将延续到2022年,价格持续看涨。此外,美光亦宣布将原先生产3D XPoint记忆体的犹他州Lehi晶圆厂卖给德州仪器。
 
美光看旺记忆体一路好到明年,法人看好南亚科、华邦电、晶豪科、威刚、十铨、群联等记忆体厂表现,第二季营运将优于第一季,下半年营运会比上半年好。
 
美光公告截至6月3日的2021年会计年度第三季财报,营收74.22亿美元创下歷史新高,毛利率大幅提升至42.9%,税后净利季增93%达21.73亿美元,较去年同期成长逾1.3倍,稀释后每股净利1.88美元。由于看好DRAM及NAND Flash出货畅旺且价格续涨,美光预估本季营收达80~84亿美元之间,毛利率提升至46~48%,每股净利2.2~2.4美元优于预期。
 
Sanjay Mehrotra在法说会中表示,美光成功减轻台湾乾旱衝击,产出未受到影响,台湾雨季已开始,充足的水源将能支应美光制造需求。而台湾乾旱虽已结束,但包括台湾、马来西亚、印度等地的新型冠状病毒(COVID-19)确诊数增加,对当地制造业务和研发活动构成风险。美光会与当地政府合作,尽可能进行现场筛检和疫苗接种。
 
对于今年记忆体市场展望,Sanjay Mehrotra预估2021年DRAM产业位元需求年增率将大于20%,NAND Flash产业位元需求年增率达35%,但位元供给年增率低于需求年增率,所以预期DRAM及NAND Flash供给吃紧情况会延续到2022年。美光财务长Dave Zinsner则预期本季度DRAM及NAND Flash供不应求且报价看涨。
 
美光已开始量产1α奈米DRAM及176层3D NAND,将在第四季明显挹注营收。同时,美光正式说明将会在2024年将极紫外光(EUV)微影技术导入DRAM制程,美光已对艾司摩尔(ASML)下单採购多台EUV曝光机,今年资本支出将提高至95亿美元。
 
另外,Sanjay Mehrotra也说明DDR5世代交替将是造成DRAM市场供给吃紧的另一关键原因,由于DDR5透过内建错误校正编码(ECC)核心,以满足资料中心等高效能运算的高效能及高频宽需求,但晶片尺寸较DDR4明显增加,随着DDR5在下半年开始进入量产,DRAM产业的位元供给成长将持续受限。
 
 
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