根据南韩媒体《BusinessKorea》报导，全球记忆体产业龙头的南韩三星电子计划在2021 下半年正式推出DDR5 DRAM。相较于当前产品DDR4 的规格，DDR5 DRAM 的传输速率可高达6,400 Mbps，是DDR4 DRAM 的3,200 Mbps 的2 倍。另外，DDR5 的工作电压为1.1V，比DDR4 的1.2V 降低9%。DDR5 最大容量为64 Gb，是DDR4 产品4 倍。因为性能突出，使DDR5 产品即便稍高于DDR4，但因为世代交易的市场需求下，仍有空间为记忆体厂带来获利，这也是预期全球记忆体产业将迎接新成长周期的主因。

 

报导强调，根据市场研究及调查单位TrendForce 预测，DDR5 在PC DRAM 市场中的市占率，将从2020 年的不到1%，成长到2021 年10%，足足是10 倍以上的成长。甚至， DDR5 产品在伺服器的DRAM 市场中，市占率也将从2020 年的4% 提升到2021 年15%。市场成长快速情况下，全球三大记忆体厂都开始准备抢攻商机。南韩SK 海力士已在10 月6 日首次发表DDR5 DRAM，竞争对手三星则预计2021 年开始量产第4 代10 纳米级DDR5 和LPDDR5。美商记忆体大厂美光今年初宣布，已开始向客户出样最新DDR5 记忆体，以第3 代10 纳米级1z 纳米制程打造，性能提升85%。

 

除了DDR5 的DRAM 竞争，记忆体厂商也在NAND Flash 快闪记忆体发展角力。美光于11 月宣布，已开始量产全球首批176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体。美光指出，新176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体读写方面性能提高35% 以上，且与同类最佳竞争对手相较，尺寸更减少30%。继美光之后，SK 海力士也在12 月7 日宣布完成176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体开发。SK 海力士强调，新产品生产率提高35% 以上，176 层堆叠的NAND Flash 快闪记忆体将能增加市场价格竞争力。三星方面则计划2021 年发表第7 代V-NAND 快闪记忆体。理论上，第7 代V-NAND 快闪记忆体最多可达256 层堆叠能力。

 

报导进一步指出，受惠于2020 年10 月，自处理器大厂英特尔收购NAND Flash 快闪记忆体业务，使SK 海力士全球NAND Flash 快闪记忆体市场市占率扩大至23% 上下。TrendForce 表示，截至2020 年第3 季，三星电子以31.4% 市占率在全球NAND Flash 快闪记忆体市场中排名第一，铠侠则以17.2% 位居第2，西部数据的市占率则为15.5%，位居第3，英特尔及SK 海力士则各以11.5% 的市占共同排名第4。

 

报导进一步强调，业界预期，NAND Flash 快闪记忆体市场的成长将比DRAM 市场更快，原因在于智慧型手机向5G 发展，以及资料中心的伺服器对SSD 的需求所造成，这使得NAND Flash 快闪记忆体市场到2024 前将以每年30% 到35% 的速度增长，相较于而DRAM 的年平均成长率为15%~20% 而言，NAND Flash 快闪记忆体市场的成长速度快很多，也使得炒商更注重NAND Flash 快闪记忆体市场发展。

 

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