根据市场研究机构IC Insights的最新报告指出，各大DRAM厂对订单后市看法仍保守，全年合计资本支出预计为151亿美元，较2019年的191亿美元下降20%。也低于2018年全球DRAM厂资本支出232亿美元之新高。

 

由于大多数新设施和对现有晶圆厂的升级都已准备就绪，可以满足近期需求，前三大DRAM厂今年的资本支出均将下滑。IC Insights预测，三星今年DRAM资本支出预算将下降21%，至49亿美元；第二大DRAM厂SK Hynix预计将其DRAM资本支出预算削减38%，至40亿美元，美光则预估削减其DRAM今年的资本支出16%，达到36亿美元。

 

IC Insights报告指出，其他较小DRAM厂的资本支出也将受限。台厂华邦电(2344)于高雄路竹科学园区新建12吋晶圆厂，原本计画2020年底兴建完成、2021年开始量产，但因DRAM市况不佳，日前已宣布将装机计画延至2022年1月。

 

不过，台湾DRAM大厂南亚科(2408)逆势上调今年资本支出上限金额，由原先规画的92亿元，增至157.6亿元，增幅达71.3%，更比去年大增1.9倍，将用来衝刺10奈米制程技术，建置自主研发的10奈米制程试产线。

 

南亚科于2月董事会原订今年资本支出上限92亿元，年增逾67%，其中包含10奈米级制程研发、试产及20奈米递延等资本支出。因应实际需求，5月6日董事会决定将今年资本支出再增加65.6亿元，今年资本支出上调至不超过157.6亿元。

 

 

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