根据DIGITIMES Research分析师简琮训观察，5G、电动车、电源装置等应用对具高频、高功率特性的第三代半导体材料氮化镓(GaN)产业，将挹注成长动能，且产业链分工态势渐清晰，IDM(整合组件制造公司)不再独霸市场，对于已积极卡位GaN磊晶与晶圆代工环节的台湾业者而言，是获取订单的良好机会，但Wolfspeed与Qorvo等亦提供晶圆代工服务的IDM业者仍形成威胁。

 

虽然GaN远比硅市场规模小，但众多商业应用正快速渗透，因硅组件与砷化镓(GaAs)已无法满足更高频、高功率的应用，业者多转向采用GaN。但对设计、制造业者而言，资金、良率、成本、技术等环节皆为投入GaN领域的考验，因此早期多由欧美IDM业者开始发展，如今，已演变为业界扩大合作，加快产业发展步调。其中，中国台湾业者以既有基础优势，将立足GaN磊晶与晶圆代工市场。

DIGITIMES Research指出，GaN多采异质磊晶方式长晶，硅与碳化硅(SiC)为普遍采用的基板材料，磊晶业者多分布在台湾、日本、欧洲等地，IDM或设计业者对基板材料选择则取决于产品定位与应用。此外，磊晶与晶圆代工业者生产策略不尽相同，有专攻生产1种或多样基板产品者。

 

简琮训指出，中国大陆发展化合物半导体时程虽晚，但仰赖充沛的资金与内需市场优势，由国家主导战略并有计划性扩张GaN版图，近年出现多家GaN新创业者，相关业者多集中在长三角区域。GaN关键技术多掌握在国外业者手中，中国业者能否进一步突破技术瓶颈，是攸关后起之秀生存的重要关键。