【导读】金氧半场效电晶体（MOSFET）厂尼克森（3317）研发已久的碳化硅（SiC）基板的高电压接面位障萧基二极体（Junction barrier Schottky diode，JBS），近期市场传出已经研发完成。法人指出，尼克森该款产品可望在2020年开始量产出货，未来有机会进攻电动车及5G等高阶应用市场。
尼克森今年单月合併营收
市场传出，尼克森歷经数年研发的SiC基板高电压接面位障萧基二极体，目前已经完成研发阶段，可分别对应在600V、650V及1200V等领域，并有机会在2020年开始放量出货。
根据研调机构Yole Developpement调查指出，SiC相关市场规模在2023年将可望成长至13.99亿美元，2017～2023年的年复合成长率（CAGR）达29％，未来汽车产业将成为重要推手。
据了解，SiC基板高电压接面位障萧基二极体主要应用在高频及高压应用，且由于导入SiC元件，因此不仅可让模组设计更小，且相较过去一般二极体更加耐高温，也就代表承受极端环境能力更强，目前主要应用在电动车、车用电子及5G等需要安装在户外环境的场所。
由于SiC相关元件研发难度高，因此市场上主要供应厂商几乎清一色为国际IDM厂如罗姆（ROHM）、意法半导体（ST）及英飞凌（Infineon）等。法人认为，尼克森在完成SiC基板高电压接面位障萧基二极体后，将可望直接与国际大厂竞争，并藉此攻入电动车、5G等高阶市场。
尼克森在2019年由于营运策略调整得当，因此业绩表现相对同业亮眼。尼克森公告11月合併营收为2.47亿元、月增10.7％、年成长32.5％，累计前十一月合併营收达25.81亿元，相较2018年同期成长14.4％，写下7年以来同期新高。
法人看好，随着5G、AI等新应用需求将于2020年大举到来，可望推动MOSFET需求回温，加上尼克森可望切入SiC市场，在双动能加持之下，2020年营运将可望比2019年更上一层楼。
