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传东芝内存砸3千亿、增产3D NAND Flash

发布时间:2019-09-30 责任编辑:lina

【导读】日刊工业新闻9月30日报导,全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商「东芝内存Holdings(Toshiba Memory Holdings)」将在旗下四日市工厂兴建最先端的3D NAND Flash新厂房,预估新厂房将在2020年12月动工、2022年夏天完工,总投资额预估达3,000亿日圆的规模,目标是藉此在先端领域上超越南韩三星电子。
 
日刊工业新闻9月30日报导,全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商「东芝内存Holdings(Toshiba Memory Holdings)」将在旗下四日市工厂兴建最先端的3D NAND Flash新厂房,预估新厂房将在2020年12月动工、2022年夏天完工,总投资额预估达3,000亿日圆的规模,目标是藉此在先端领域上超越南韩三星电子。
 
东芝内存将自今日(10月1日)起正式把公司名称变更为「铠侠(Kioxia)」。
 
传东芝内存砸3千亿、增产3D NAND Flash
 
报导指出,东芝内存计划在四日市工厂内兴建生产次世代3D NAND Flash的「第7厂房」,公司内部已成立企画团队进行详细评估,且今后IPO所筹得的资金部分也将充当投资资金,且预估也将和合作伙伴美国Western Digital(WD)分担投资。
 
据报导,东芝内存原先计划在2019年内IPO,不过因内存市况恶化,因此IPO时间将推延约1年至2020年9月。
 
根据IHS Markit指出,2018年三星于NAND Flash市场的市占率(以金额换算)达38.4%稳居首位,其次分别为东芝内存的17.6%、WD的13.9%、SK Hynix的11.1%和美光(Micron)的10.6%。
 
东芝于2018年6月将东芝内存独立出去、并卖给由美国贝恩资本主导的「日美韩联盟」。东芝目前仍持有东芝内存40.2%股权。
 
东芝内存目前已和WD携手兴建位于日本岩手县的北上工厂第一厂房(以下称K1)。K1将生产使用于数据中心、智能手机以及自动驾驶等用途,需求预估将扩大的3D NAND Flash产品,预计会在2019年秋天完工,且将藉由和WD携手进行投资,于2020年开始生产堆栈96层制程技术的3D NAND Flash产品。
 
根据东芝内存8月8日公布的财报数据显示,因内存市况低迷,加上因6月15日发生停电、导致旗下NAND Flash主要生产据点「四日市工厂」部分产线停止生产,拖累2019年度第一季(2019年4-6月)合并营收较前一季(2018年10-12月)大减13%至2,142亿日圆、合并营损额自前一季的284亿日圆大幅恶化至989亿日圆、合并净损额也自前一季的193亿日圆大幅恶化至952亿日圆。
 
东芝内存表示,因停电影响而停工的设备已在7月中旬前几乎全数复工,不过预估第2季度(2019年7-9月)的业绩仍会受到影响。
 
 
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