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半导体明年可望成长7% NAND最快Q4反弹

发布时间:2019-09-17 来源: 责任编辑:wenwei

【导读】国际半导体展于17盛大展开,其中 SEMI 报告半导体现况展望,产业分析总监曾瑞榆表示,半导体在经历一段库存调整后,NAND 将首先自第 4 季开始反弹,明年半导体需求将回稳,带动投资金额回升,另外 5G 等趋势动能带动,明年整体产值将摆脱今年衰退的压力,估成长 7%。
 
半导体明年可望成长7% NAND最快Q4反弹
 
曾瑞榆对今年半导体现况表示,2019 年半导体出货较去年减少,主要受云端业者投资支出需求减少,使得整体资本支出较去年减少 15%,且整体半导体库存水位也偏高,双重因素影响今年表现,预计明年年初产业将调整至过去平均水准。
 
SEMI 表示,2019 年逻辑 IC 出货较去年减少,主要来自供需,需求面来自云端业者减少资本支出扩充产能,且苹果 iPhone 销量今年估不超过 2018 年,供给面则是今年有 CPU 产能问题,所幸下半年缺货问题将趋缓,出货也将逐步升温,弥补全年应有出货量。
 
车用电子部分,受中国车市销量较去年下滑 11% 影响,今年车用电子仍处疲弱状态。
 
不过,今年整体拖累半导体表现的主轴在于记忆体产业,曾瑞榆对此提出,记忆体库存偏高,主要是受各厂大量扩厂造成供给过剩,记忆体报价 7 月开始下跌。
 
但他强调, NAND 相对 DRAM 库存去化已逐渐结束,预计需求将提早在第 4 季复苏,而 DRAM 最快明年年中恢复动能。
 
晶圆代工部分,先进制程今年估可成长 50%,明年资本支出将稍微修正,成熟制程明年将快速成长,估增 20%,其中主要受惠中国扩充 28 奈米制程产能,以及投资兴建 8 吋厂;预估 2021 年将有多笔来自 12 吋厂扩产带动的资本支出案。
 
矽晶圆部分,因终端需求低于预期,第 2 季以来仍楚瑜库存修正期,须至明年才会回稳,今年整体出货将低于去年,其中长约订单为主要支撑。
 
整体而言,曾瑞榆表示,多家调查机构都显示,半导体下风将持续至今年下半年,预计明年可走出阴霾,除产业周期复苏,5G、资料运算、车用电子等趋势,都能带动未来成长,而记忆体明年中才能开始成长,因此 SEMI 预估,明年成长将从原先预估双位数成长,下修成 7%。
 
 
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