【导读】碳化硅(SiC)功率半导体具耐高温、耐高电压、切换速度快,可降低电力传输或转换时能量损耗等优点,已成为节能诉求的太阳能、电动车及充电基础建设、智能电网等领域关注的新兴产品。根据市调机构预估,随厂商大举扩产,未来10年,SiC功率半导体市场规模将大增约10倍。
碳化硅(SiC)功率半导体具耐高温、耐高电压、切换速度快,可降低电力传输或转换时能量损耗等优点,已成为节能诉求的太阳能、电动车及充电基础建设、智能电网等领域关注的新兴产品。根据市调机构预估,随厂商大举扩产,未来10年,SiC功率半导体市场规模将大增约10倍。
以市场发展动向分析,2018年全球SiC功率半导体市场规模仍未达4亿美元,但在汽车电动化、智能电网、快速充电等趋势推波助澜下,预料SiC功率半导体市场将会有大幅的跃升,2030年全球市场规模有望达到45亿美元以上。
DIGITIMES Research副总监黄铭章指出,2019年全球最大的SiC晶圆供应商Cree决定投资10亿美元,大幅扩充包括SiC及氮化镓(GaN)相关产能,预计在2024年将SiC晶圆制造能力提高至30倍,以满足多家厂商对SiC材料的需求,另外,日本厂商也积极投入功率半导体的投资。
黄铭章表示,尽管SiC来势汹汹,但由于其成本远高于硅基(Si-based)材料功率半导体,因此未来10年内电动车用功率半导体市场主流仍将是传统硅基材料元件。
而根据英飞凌及市场机构资料,从2017年到2023年,碳化硅功率半导体市场应用年复合成长率预测,混合/电动车成长率最高,达81%,其次为电动车充电站/充电桩的58%,航天与军事、太阳能以及不断电系统/电源供应器分别成长23%、14%及10%,整体SiC功率半导体年复合成长率为27%。
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