【导读】日前据韩媒报道称，ASML公司正积极投资研发下一代EUV光刻机，与现有的光刻机相比，二代EUV光刻机最大的变化就是High NA（高数值孔径）透镜，通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升70%，达到业界对几何式芯片微缩的要求。
半导体制造过程中最复杂也是最难的步骤就是光刻，成本能占到整个生产过程的1/3，光刻机也因此成为最重要的半导体制造装备，没有之一。目前最先进的光刻机是荷兰ASML公司生产的EUV光刻机，每台售价超过1亿美元，而且供不应求。
2019年，台积电、三星都会开始量产7nm EUV工艺，现有的EUV光刻机也差不多成熟了，虽然产量比起传统的DUV光刻机还有所不如，不过已经能够稳定量产了，7nm及明年的5nm节点上EUV光刻机都会是重点。
EUV光刻机未来还能怎么发展？2016年ASML公司宣布斥资20亿美元收购德国蔡司公司25%的股份，并投资数亿美元合作研发新一代透镜，而ASML这么大手笔投资光学镜头公司就是为了研发新一代EUV光刻机。
日前据韩媒报道称，ASML公司正积极投资研发下一代EUV光刻机，与现有的光刻机相比，二代EUV光刻机最大的变化就是High NA（高数值孔径）透镜，通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升70%，达到业界对几何式芯片微缩的要求。
在这个问题上，ASML去年10月份就宣布与IMEC比利时微电子中心合作研发新一代EUV光刻机，目标是将NA从0.33提升到0.5以上，而从光刻机的分辨率公式——光刻机分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA数字越大，光刻机分辨率越高，所以提高NA数值孔径是下一代EUV光刻机的关键，毕竟现在EUV极紫外光已经提升过一次了。
之前ASML公布的新一代EUV光刻机的量产时间是2024年，不过最新报道称下一代EUV光刻机是2025年量产，这个时间上台积电、三星都已经量产3nm工艺了，甚至开始进军2nm、1nm节点了。
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