你的位置:首页 > 市场 > 正文

SK海力士跨向1ynm内存时代

发布时间:2019-04-28 责任编辑:lina

【导读】SK海力士近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片,并为下代内存做好准备。SK海力士首款1ynm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片,号称相比1xnm工艺可将尺寸缩小20%,并将功耗降低15%。
 
SK海力士近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片,并为下代内存做好准备。SK海力士首款1ynm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片,号称相比1xnm工艺可将尺寸缩小20%,并将功耗降低15%。
 
此外,这颗新的芯片还具备四相时钟机制,有利于提高信号强度、维持高频稳定性,并支持感应放大控制技术(SAC),有利于减少晶体管尺寸缩小时可能出现的数据错误。
 
SK海力士跨向1ynm内存时代
 
有消息称,SK海力士还会用1ynm工艺制造DDR5、LPDDR5、GDDR6内存芯片,所以尽早部署并量产非常关键。
 
其实,SK海力士是内存三巨头中最后一家大规模上1ynm工艺的,三星、美光去年就用上了。
 
 
 
推荐阅读:
芯屏器合:VR/AR即将进入爆发期
三星:2030年前投资7730亿元设计、制造芯片
罗姆收购松下部分半导体业务
三星电子和LG电子的高端电视策略初见成效
特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭