【导读】根据集邦科技记忆体储存研究DRAMeXchange调查，2018年12月正值欧美年节时期，DRAM成交量清淡，因此不列入合约价计算，代表12月份合约价与11月份大致持平，主流模组8GB DDR4模组均价仍在60美元，而4GB DDR4模组均价约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60美元及30美元关卡。集邦预期下游模组厂恐面临更严峻的考验。
2019年第一季合约价已于去年12月开始议定，综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱、以及短中期经济展望不明朗等因素，买卖双方已有8GB DDR4模组均价降至55美元或更低的共识，预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10％，而且2月及3月持续下探的可能性极高。整体来看，第一季价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15％扩大到近20％，尤其以伺服器DRAM的下修最为明显。
目前DRAM市场最大问题并非供给端的增加，而是需求端在2018年第四季提前进入淡季，使得库存攀升问题提早浮现。以2018年第四季来看，所有供应商当中以美光降价幅度最大，因此部分偏高的库存水位得以适时去化。而韩系DRAM厂因为降价幅度较小，导致出货量萎缩，库存持续累积至2019年第一季将相当可观。
集邦表示，短期之内，供给位元成长（supply bit growth）将持续大于销售位元成长（sales bit growth），库存水位的不断上升，成为价格的最大压力。预期自2018年第四季开始的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。
虽然DRAM价格自2018年下半年开始走跌，但由于产业集中度高，削价竞争只会侵蚀目前丰厚的获利，因此，2019年包括三星、SK海力士、美光等三大厂传出计划减少资本支出，以稳定DRAM价格并平衡市场供需环境。
值得注意的是，上游DRAM原厂享有高毛利，但下游的记忆体模组厂与客户的获利空间却遭到压缩，整体DRAM产业获利表现在2018年呈现上肥下瘦。
2017年因DRAM价格在短期大幅上涨，模组厂受惠于手中持有的低价库存得以转为实际获利，大多数模组厂获利表现相当优异。但从2018年开始，DRAM价格已处于高档水位，颗粒价差获利空间变小，模组厂仅能从加工费用中获利，加上DRAM价格于下半年开始下跌，下游模组厂手上持有的库存损失则拖累获利，不少下游厂商2018年的实际获利较前一年相比仅剩一成水准，甚至开始亏损，预期2019年将面临更严峻的考验。
南亚科资本支出大砍5成
由于今年以来DRAM市况明显不佳，在供过于求情况下价格走跌，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂已陆续宣布降低今年资本支出消息，而DRAM厂南亚科15日也决定大砍今年资本支出。
南亚科总经理李培瑛表示，2018年资本支出已经较原本预期金额下修15％至204亿元，2019年资本支出会更加保守，预期会较去年减少5成至100亿元左右。
DRAM厂近期陆续宣布放缓今年投资计划。根据集邦科技统计，三星电子今年DRAM投资金额降至80亿美元，主要用于1y纳米制程推进及新产品开发，投片计划是近年来最保守的一年，并传出终止平泽厂Line 18扩产计划。SK海力士也将今年DRAM投资金额降至55亿美元，主要用于新制程转进及良率提升。美光则下修今年资本支出至30亿美元左右，今年产能位元成长率目标由原本预估的近20％下修至15％。
南亚科15日法说会中亦表示将下修今年资本支出，将较去年减少约5成达新台币100亿元。李培瑛表示，预期今年产能位元成长率将达10～15％，与去年的40％相较明显减少。DRAM厂同步降低今年资本支出，主要是要减缓产能过剩压力，并减缓价格下跌速度。
对于今年DRAM市场，李培瑛表示，长期来看仍有稳定的成长动能。以智能手机市来说，去年第四季开始销售情况不如预期，但手机厂为了进行差异化，包括增加多镜头及加入人工智能（AI）功能等，都需要依赖DRAM规格升级，看好今年Android系统旗舰机种搭载容量将提高至10～12GB，预期2020年5G手机正式商转将可刺激移动DRAM成长动能。
李培瑛亦指出，伺服器市场去年第四季及今年第一季均处于短线库存调整，以致需求不佳，但长线仍稳定成长，主要为AI与网路产业的发展可持续带动伺服器的需求。个人电脑部份则受到英特尔处理器缺货，不利于PC出货，预期今年中就可恢复正常供货。
在消费型电子部份，李培瑛认为短期需求是受到美中贸易因素干扰，但包括机上盒、智能音箱、固态硬碟、IP CAM等各种应用，DRAM搭载容量仍维持成长。所以整体来看，今年DRAM市场总体需求仍稳定增加。
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