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5G将步入商转,带动存储器新一波成长

发布时间:2019-01-02 责任编辑:lina

【导读】随着 5G 明年步入商转,资料传输需求大增,可望显著刺激存储器景气。虽然近期存储器步入景气向下循环,但历经调整后,5G、人工智能与边缘运算等带动科技新浪潮,将带动 DRAM 与 NAND Flash 需求重回成长,南亚科、华邦电等台厂都将因此受惠。
 
随着 5G 明年步入商转,资料传输需求大增,可望显著刺激存储器景气。虽然近期存储器步入景气向下循环,但历经调整后,5G、人工智能与边缘运算等带动科技新浪潮,将带动 DRAM 与 NAND Flash 需求重回成长,南亚科、华邦电等台厂都将因此受惠。
 
DRAM 近年来受惠资料中心持续建置,服务器存储器出货量大幅攀升,伴随 5G 商转产生的大量数据,将需要建置更多资料中心来容纳。随着资料中心需求持续推升,未来服务器 DRAM 可望成为成长力道最强劲的存储器领域,研调甚至认为,未来 2 至 3 年内,服务器存储器将超越行动式存储器,成为供需主流。
 
为迎接服务器市场未来的强劲成长动能,南亚科今年正式重返缺席逾 5 年的服务器 DRAM 市场,8Gb DDR4 服务器产品已获美系资料中心大厂验证通过,第 4 季小量出货,并于明年放量,要全力抢攻服务器市场,盼明年底前服务器 DRAM 产品可占整体出货比重超过 1 成。
 
5G将步入商转,带动存储器新一波成长
 
除南亚科积极布局以因应相关需求外,华邦电也不缺席。华邦电总经理詹东义认为,5G、人工智能与边缘运算需求增加,将使更多产品智慧化,成为驱动产业的新成长动能,因此对未来市场需求并不悲观,将持续耕耘质量要求较高的金字塔顶端客户。
 
而在 NAND Flash 方面,随着 5G 带动智慧家庭、自动驾驶等新兴领域持续发展,拥有运算能力的终端产品数量将会明显提升,可望带动中低容量 NAND Flash 产品出货量增加,后市需求动能同样乐观可期。
 
 
 
 
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