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三星拟放缓明年记忆体增产,有助降低DRAM跌价速度

发布时间:2018-12-29 来源: 责任编辑:wenwei

【导读】美中贸易战导致市场不确定性大增,记忆体大厂三星传出将调降明年DRAM及NAND Flash位元出货量,若随着产出减少,有助于明年跌价压力趋缓,对台记忆体厂有利。
 
南亚科(2408)今年第四季起营运反转下滑,但今年将赚逾一个股本,明年股利可期;周四,外资反手买超3256张,股价亦回稳。
 
据韩国外电,三星计画2019年放慢明年记忆体增产速度,DRAM位元出货量由原本预估的20%以上调降至低于20%,因限制产能增加,有助于降低DRAM跌价速度及幅度。
 
另一大厂美光也在日前法说会中透露下修明年出货目标计画。美光指出因为智慧型手机出货衰退,加上英特尔处理器缺货影响PC出货,2019年资本支出将由原先预期的105亿美元下修至90亿美元,美光也将明年DRAM位元出货量目标由原本预估的20%下修至16%。
 
业界预期,随着三星等大厂有意控制明年位元出货量,DRAM价格可望在明年第2季逐步止跌,明年下半年价格应可回稳。南亚科虽明年获利比今年下滑,但受惠20奈米成本效益,明年获利预估仍有撑。另外,华邦电(2344)等记忆体厂明年营运获利亦无虞。
 
 
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