【导读】汉磊投控（3707）旗下晶圆代工厂汉磊科及EPI硅晶圆厂嘉晶（3016）下半年营运强劲，金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体（IGBT）等功率半导体订单满到明年第1季。
看好功率元件市场朝向宽能隙（Wide Band-Gap）功率半导体发展趋势，汉磊及嘉晶将扩大超接面（Super Junction）、碳化硅（SiC）、氮化钾（GaN）等新元件的投资布局，明年底前产能开出后将成未来成长新动能。
由于MOSFET等功率半导体市场供不应求，汉磊及嘉晶受惠于国际IDM厂扩大释出代工订单，加上国内IC设计客户追加急单，产能利用率将满载到年底。由于汉磊调涨第3季晶圆代工价格，嘉晶亦调涨EPI硅晶圆价格，法人看好汉磊及嘉晶第3季营收将同步改写歷史新高，第4季营收可望续创新高。
汉磊及嘉晶单月合併营收
嘉晶受惠于EPI硅晶圆出货畅旺及价格顺利调涨，8月合併营收月增2.0％达4.23亿元，已连续8个月创下单月营收歷史新高，较去年同期大幅成长49.2％。累计今年前8个月合併营收达28.83亿元，较去年同期成长29.8％。由于日本北海道9月初发生大地震，当地设厂的日本硅晶圆厂产出受到严重影响，导致功率半导体用8吋及6吋EPI硅晶圆供货转趋吃紧，法人看好嘉晶可望受惠于转单及涨价效应持续发酵。
汉磊投控公告8月合併营收5.82亿元，约与7月持平并为单月歷史次高，与去年同期相较成长30.3％。汉磊投控今年前8个月合併营收达42.26亿元，较去年同期成长21.0％，法人看好第3季营收将季增6～9％续创歷史新高，单季获利有机会挑战赚赢上半年。
随着节能减碳成为市场主流趋势，新一代功率半导体扮演重要角色，例如未来电动车及充电椿就会大量採用SiC材料的宽能隙功率半导体，强调高速资料传输的5G相关设备，则会朝向採用GaN材料的宽能隙功率半导体方向发展。再者，强调低功耗的马达或数位家电等，现在主流採用IGBT为主要元件，但未来可望朝向超接面MOSFET的方向发展。
嘉晶已经完成了SiC及GaN等相关硅晶圆技术及产能，在完成客户认证后将可开始出货，今年亦宣布将投资建置超接面MOSFET硅晶圆生产线。汉磊已可支援小尺寸晶圆SiC及GaN的晶圆代工，今年亦将扩大投资6吋SiC晶圆代工相关产能。法人预期，嘉晶及汉磊可提供由硅晶圆到晶圆代工的宽能隙功率半导体一条龙服务，可望争取到现有国际IDM大厂客户青睐及下单。
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