【导读】6 月11 日，芯联集成发布公告，计划在浙江省绍兴市合资建设一条月产能达5 万片的12 英寸数模混合芯片生产线。该项目作为公司的第四期投资项目，计划总投资约200 亿元，其中芯联集成出资30.12 亿元，持股25.1%。

此举被视为芯联集成在巩固其新能源汽车与工业控制芯片制造优势的同时，系统性切入AI服务器电源管理芯片与光互联芯片两大高增长赛道的关键布局。在全球AI 算力需求爆发式增长与国内半导体产业自主可控趋势加速的背景下，这一重大投资旨在提升国内在高端模拟、功率及硅光芯片领域的制造能力。

五大平台覆盖车规、AI 电源、硅光及锗硅等技术平台

第四期项目将主要聚焦于五个核心工艺平台的研发与制造，涵盖从成熟制程到先进节点的键技术：

55nm 至28nm 车规级MCU 及AI 端侧DSP 芯片平台：面向智能汽车、工业自动化及AIoT（人工智能物联网）领域，其中AI 端侧DSP 的布局旨在为边缘计算设备提供本地化算力支持。

90nm 数模混合芯片平台： 专注于高性能、高功率、高可靠性的BCD （Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，主要服务于新能源汽车、工业控制及高端消费电子市场。

55nm AI 服务器高频电源管理芯片制造平台：直接面向AI 服务器电源系统的需求，为CPU/GPU 等高性能计算芯片提供高功率密度、高效率的供电解决方案，以应对全球数据中心对先进电源芯片的迫切需求。

55nm 硅光芯片平台：瞄准数据中心光互连、AI 集群内部高速通信以及高速光模块市场。该平台将在一期8 英寸硅光产线及三期12 英寸90nm 硅光技术的基础上，进一步建设和扩大55nm 硅光芯片的产能。

面向光引擎的55nm SiGe（锗硅）跨阻放大器与激光驱动芯片平台：覆盖高速光模块接收端与发射端的核心电芯片。该平台将与55nm 硅光平台协同，形成“硅光芯片+配套电芯片”的完整解决方案，为客户提供一站式光引擎代工服务。

光模块BOM 成本中，光芯片与电芯片合计占比约70%至80%，其中TIA 与驱动器更是电芯片中的价值高地。随着全球AI 算力需求持续增长，数据中心光互连技术正从横向扩展向纵向扩展、乃至封装内芯片间互连演进，硅光技术的重要性日益凸显。芯联集成正在以前瞻性布局抢占行业制高点。

产能将超40 万片/月，芯联集成卡位国内高端模拟及光互联制造核心地位

随着四期项目的规划与未来投产，芯联集成的整体晶圆制造产能预计将显著提升。在一期、二期、三期项目达产的基础上，公司总产能（折合8 英寸）预计将超过每月40 万片。

此次扩产正值关键的市场窗口期：

AI 算力需求激增：全球范围内大模型训练与推理需求持续攀升，带动了对高端AI 服务器及其核心部件（如电源管理芯片、光互联芯片）的爆炸性增长。

汽车电子化与智能化：新能源汽车渗透率快速提高，单车半导体价值量大幅提升，特别是车规级MCU、功率半导体等需求旺盛。

高端模拟芯片产能缺口：国内车规级、工控级高端模拟芯片长期面临产能供不应求的局面，本土自主制造能力不足，核心产能仍高度依赖海外代工厂。

芯联集成此次200 亿元的投资，旨在持续巩固和扩大其在功率半导体、高端模拟芯片、MCU等领域的产能与技术优势。同时，该项目也将加速推动国内硅光芯片的制造能力建设，使其能够在AI 算力时代的基础设施——“芯基建”赛道中占据更有利的位置。