【导读】在存储芯片“超级周期”红利下，三星与SK海力士针对性调整存储业务布局：为优化利润结构、适配QLC技术迭代及应对中国厂商（如长江存储）的竞争，主动削减低利润率NAND Flash产量，多家机构预测今年一季度NAND价格将大幅上涨。与此同时，三星为满足英伟达订单需求，全力扩充HBM产能，计划2026年实现产能显著增长并新建超400亿美元工厂，两家企业业绩也借AI热潮迎来爆发式增长，全球存储市场格局正加速重塑。

报道称，三星和SK海力士减产主要原因是，与当前盈利能力更高的DRAM产品相比，NAND Flash的利润率相对较低，因此资本投资的优先级也较低。两家企业管理层均表示，鉴于过往NAND Flash业务盈利表现疲软，在当前存储芯片「超级周期」的红利期，专注于价格防御、实现利润最大化，远比盲目扩产更合适。

此外，随着人工智能数据中心对高容量固态硬盘（SSD）的需求不断增长，生产线向QLC（四层单元）技术转换过程中不可避免的自然减产也是必然的。从现有的三层单元（TLC）技术过渡到更适合人工智能数据中心的QLC技术，涉及诸多因素，包括设备配置、稳定期和初始良率。

另有分析表明，三星和SK海力士削减NAND Flash产量是进行产品组合的调整，以应对中国厂商不断增加的通用NAND Flash供应的竞争。与三星和SK海力士减产不同，中国NAND Flash大厂长江存储自去年以来一直在加大对通用NAND Flash的供应，这表明其在市场上的地位日益稳固。因此，三星和SK海力士削减NAND Flash产量，也被认为是通过减少面向移动和PC领域的NAND Flash供应，来应对中国厂商在这个市场带来的价格竞争，同时增加在利润率更高的服务器和企业级产品的供应，从而维护盈利能力的策略。

受益于AI热潮带动的行业红利，三星与SK海力士近期业绩表现亮眼，盈利能力大幅提升。其中，三星电子2025年第四季度营业利润达138亿美元，同比飙升208.2%，环比增长64.3%，销售额同比增长22.7%至93万亿韩元；SK海力士2025年第三季度营收达171.3亿美元，同比大增39%，营业利润更是创下历史新高，达80.2亿美元，同比猛增62%。

各大市场研究机构正密切关注主要供应商的生产调整，并预测NAND闪存价格将从今年第一季度开始全面上涨。TrendForce预测，第一季度NAND闪存合约价格将环比上涨33%至38%，并指出三星电子和SK海力士等公司正在采取较为保守的NAND生产策略。IDC也预测，今年NAND闪存供应量增速约为17%，低于近年来的平均水平。

三星大幅提升HBM产能

据多家韩国媒体报道，为满足其最大客户英伟达的大量订单，三星的HBM产能预计在2026年比上一年增长50% 。为了实现规模化扩张，三星在去年11月与韩国总统李在明及各大财阀领导人会面后，宣布计划在京畿道平泽市新建一座名为P5的工厂，投资额达合415亿美元。这项投资额约为三星此前在平泽市各工厂投资额的两倍。

位于平泽的三星电子园区目前运营着四座晶圆厂（分别为P1至P4），KB证券预测到2026年第二季度，三星预计将在P4晶圆厂每月新增约6万片DRAM晶圆产能；而到2026年底，三星HBM晶圆的月产量预计将达到25万片，比目前的17万片增长超过47%，市场份额明年更是将飙升至35%，比2025年预计的16%增长一倍以上。

总结

NAND Flash减产并非收缩，而是通过放弃低利通用市场、适配技术升级，规避价格竞争并聚焦高价值领域；三星加码HBM产能、投建超大规模新工厂，则是抢占AI核心供应链的关键布局，其HBM市场份额翻倍的目标或将改写行业竞争格局。