【导读】随着AI模型规模呈指数级增长，对高带宽、高密度内存的需求急剧攀升，这导致DRAM与NAND闪存已从传统的成本型组件，跃升为决定AI运算效能的核心战略资源，推动产业进入一个可能持续数年的“存储超级周期”。
随着AI模型规模呈指数级增长，对高带宽、高密度内存的需求急剧攀升，这导致DRAM与NAND闪存已从传统的成本型组件，跃升为决定AI运算效能的核心战略资源，推动产业进入一个可能持续数年的“存储超级周期”。
此次供应短缺被业内形容为 “地狱级缺货” ，其核心原因在于供需两端的结构性失衡。在需求端，AI数据中心（尤其是英伟达等巨头的GPU）正以前所未有的速度吞噬高端存储产能。在供给端，三星、SK海力士与美光这三大存储原厂的产能扩张因资本和技术限制而相对有限。更重要的是，它们将大量先进制程产能优先分配给利润更高的HBM（高带宽内存） 生产。由于生产HBM会消耗数倍于标准DRAM的晶圆面积，这进一步挤压了通用DRAM的供给。分析师认为，这种供需紧张的格局可能持续至2027年底。
机构预测，随着AI模型规模持续扩大，高带宽、高密度内存成为决定AI运算效能核心要素。
DRAM与NAND闪存已从传统成本导向型组件，跃升为支撑AI发展战略资源，推动产业进入长达数年"存储超级周期"。
价格走势方面，机构投资者普遍预期2026年将成为内存价格爆发元年。
以主要厂商混合产品均价（blended ASP）测算，三星电子2026年DRAM产品均价同比涨幅预计达84%，SK海力士约75%，NAND产品均价增幅更将突破70%大关。
从库存结构观察，目前DRAM原厂成品库存仅维持4-5周周转量，主要客户端库存约7-9周；NAND方面，客户端及企业级SSD库存周期仅有5-9周。
业内分析指出，在需求持续高温背景下，市场已丧失缓冲空间。
面对如此严峻的市场形势，三大原厂已全面转向“毛利率优先”的定价策略，均将 60%毛利率设为定价红线，形成了价格联盟垄断格局。60%毛利率成为市场底线已成为行业新常态，这一毛利率水平甚至已经超越了台积电等晶圆代工巨头，凸显出存储市场在当前形势下的独特地位和巨大利润空间。
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