【导读】韩国半导体工程师协会在《2026 年半导体技术路线图》中，为未来 15 年硅芯片发展勾勒出一幅宏伟蓝图。当下，三星虽已发布全球首款 2nm GAA 芯片 Exynos 2600，但半导体行业的探索脚步从未停歇，预计到 2040 年，半导体电路工艺将突破 1nm，踏入 0.2nm 的埃米级时代。不过，从当下到未来十多年，实现 1nm 以下晶圆量产的道路充满荆棘，诸多障碍与挑战亟待攻克。
韩国半导体工程师协会在《2026 年半导体技术路线图》中，为未来 15 年硅芯片发展勾勒出一幅宏伟蓝图。当下，三星虽已发布全球首款 2nm GAA 芯片 Exynos 2600，但半导体行业的探索脚步从未停歇，预计到 2040 年，半导体电路工艺将突破 1nm，踏入 0.2nm 的埃米级时代。不过，从当下到未来十多年，实现 1nm 以下晶圆量产的道路充满荆棘，诸多障碍与挑战亟待攻克。
路线图：勾勒半导体发展蓝图
该路线图的目的是“有助于增强半导体技术的长期竞争力，促进学术研究，并制定人力资源发展战略”。韩国半导体工程师协会发布的这份路线图涵盖九大核心技术：半导体器件和工艺、人工智能（AI）半导体、光连接半导体、无线连接半导体传感器、有线连接半导体、PIM、封装和量子计算。
当前，三星的2nm GAA技术代表行业最先进制程节点。但据报道，三星计划推出该制造工艺的更优版本。例如，三星已完成第二代2nm GAA节点的基本设计，并计划在两年内推出其第三代2nm GAA技术SF2P+。据估计，到2040年，0.2nm工艺将采用新一代晶体管结构——互补场效应晶体管（CFET），以及单片式3D芯片设计。
作为韩国下一代半导体制造的领军企业，三星已组建专业团队，全力投入 1nm 芯片的研发工作，目标是在 2029 年实现量产。这一系列举措不仅将应用于移动 SoC 领域，还将对 DRAM 和高带宽存储器（HBM）产生深远影响。DRAM 的存储电路将从 11nm 缩小至 6nm，HBM 则将从 12 层、2TB/s 带宽提升至 30 层、128TB/s 带宽，性能实现质的飞跃。
多领域突破：存储与 AI 芯片齐头并进
在存储领域，半导体技术的进步同样令人瞩目。SK 海力士已成功开发出 321 层 QLC 技术，而随着技术的不断发展，QLC NAND 闪存有望达到 2000 层，存储容量将大幅提升。在 AI 处理器方面，当前芯片已具备 10TOPS 的运算能力，而路线图预测 15 年后，学习芯片的运算能力将达到 1000TOPS，推理芯片达到 100TOPS。这将为人工智能的发展提供强大的硬件支持，推动人工智能在更多领域的应用和普及。
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