【导读】为遏制台积电进军美国市场可能削弱台湾半导体领域领先地位的态势，中国台湾拟出台更为严格的半导体出口新规则，将此前允许的“N-1”规则升级为“N-2”规则，仅准许台积电向海外出口落后本土领先技术两代的工艺。这一规则的调整直接关联台积电美国亚利桑那州晶圆厂的扩张进程，当前一期工厂暂符合要求，但二期3nm产能未来或将受限，而技术世代的划分方式又为规则适用增添了变数，引发行业广泛关注。
据消息报道，中国台湾担心台积电进军美国市场会削弱台湾在半导体领域的领先地位，因此正在考虑制定新的出口规则，只允许这家全球最大的晶圆代工厂出口比其最先进生产节点落后两代的技术。如果这项规则实施，可能会减缓台积电在美国的扩张步伐，而台积电目前正在美国积极建设先进的晶圆厂。
这项新出口政策的核心是「N-2」规则，新的框架则更为严格，该规则仅允许在海外部署落后中国台湾领先技术两代的工艺技术。此前，中国台湾一直坚持「N-1」规则，允许台积电出口所有落后台湾领先制造工艺至少一代的技术。根据不同的技术世代划分标准，这意味着台积电可能只能出口比其最先进技术落后2~4年的制程节点。
目前，台积电亚利桑那州Fab 21一期工厂能够生产N4/N5制程节点（4nm/5nm，属于同一代）的芯片。在国内，台积电拥有多座已全面投产的晶圆厂，具备3nm级别制程能力（N3B、N3E、N3P等），并且即将开始大规模生产N2制程节点（2nm）的芯片。从形式上看，台积电的Fab 21一期工厂已经符合「N-2」规则。
然而，一旦台积电于2027年在Fab 21二期开始生产3nm工艺芯片，该工厂将不再符合「N-2」规则，因为N3工艺在技术上仅比N2/N2P/A16工艺落后一代。尽管A16（1.6nm）工艺是带有背面供电网络的N2P（增强版2nm）工艺，但如果将A16工艺视为全新一代工艺，那么Fab 21二期将符合新的高科技出口框架。
根据中国台湾科技委员会成员林法正表示，按照这种划分方式，如果台积电在台湾研发出1.2nm或1.4nm级别的制程工艺，那么只能允许1.6nm级别及以上的工艺产品才能出口到海外。林法正还强调，台积电的大部分研发人员仍然留在中国台湾，并指出公司的研发布局符合要求。实际上，即使公司在海外建设产能和研发中心，这种工程师和科学家的集中化确保了未来的工艺开发能够扎根于中国台湾。林法正还强调，半导体行业所有合格人员都受到监管，这使得知识产权和硬件的保护范围扩展到人力资本。
导读
从当前情况来看，技术世代划分标准的差异可能左右规则对台积电美国工厂的实际约束效果，而中国台湾科技委员会成员林法正的表态则凸显了对本土研发根基的重视——研发人员集中留台、人力资本受严格监管，成为保障知识产权与技术扎根台湾的核心依托。整体而言，这一规则的落地与否，不仅关乎台积电的全球化布局，更将深刻影响全球半导体产业的格局调整与技术流动方向。
