【导读】美东时间周三盘后,全球存储芯片大厂美光科技公布 2026 财年第一季度财报,营收、利润双双超预期,叠加强劲业绩指引,推动公司盘后股价大涨 9%。财报核心亮点凸显 AI 驱动的存储需求爆发:2026 年 HBM 供应量已全部售罄,HBM4 将于下半年量产;2028 年 HBM 总潜在市场预计达 1000 亿美元,较此前指引提前两年。公司将 2026 财年资本支出上调至 200 亿美元,聚焦先进产能建设,同时与客户协商多年期供应合同,以应对中长期供需缺口。
财联社12月18日讯(编辑 刘蕊)美东时间周三盘后,全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2026财年第一季度(截至11月27日的三个月)营收和利润,并对当前财季业绩给出了强劲的指引,推动公司股价盘后一度大涨9%。
令投资者们兴奋的,不仅在于双双超出预期的业绩和前瞻指引数字,而且还在于公司高管们在电话会上透露的几大重点信息:公司2026年(日历年)全年高带宽内存(HBM)的供应量已就价格和数量与客户达成协议,全部售罄;并且,公司还预计HBM总潜在市场(TAM)将在2028年将达到1000亿美元(2025年为350亿美元),较此前指引提前两年。
尽管下游需求极其旺盛,但美光在资本支出方面的态度仍然较为谨慎,仅仅将2026财年的资本支出计划从180亿美元上调至约200亿美元。在随后分析师对此提出疑问时,公司高管表示,美光科技公司将对资本支出(CapEx)增长保持审慎态度,并且供应将与需求保持一致。
在财报会上,公司董事长、总裁兼首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)直言:
“人工智能驱动的需求已然到来,并且正在加速增长。美光科技公司正凭借其历史上最佳的竞争地位抓住这些机遇……我们正处于美光科技公司历史上最令人振奋的时期,而最美好的还在后面。”
参会人员
董事长、总裁兼首席执行官——桑贾伊·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)
首席财务官——马克·墨菲(Mark Murphy)
投资者关系副总裁——萨提亚·库马尔(Satya Kumar)
核心要点
2026财年资本支出展望:200亿美元,高于此前的180亿美元,以支持高带宽内存(HBM)和1-gamma DRAM的供应能力。
- 高带宽内存(HBM)供应:2026年HBM的所有价格和销量协议均已敲定;美光(MU2.98%)的HBM4预计将于2026年下半年量产。
- 高带宽内存(HBM)总潜在市场(TAM)展望:预计2028年将达到1000亿美元(2025年为350亿美元),较此前指引提前两年;公司预测,到2028年,HBM总潜在市场的复合年增长率(CAGR)约为40%。
服务器出货量需求预测:预计2025年服务器出货量将实现高个位数百分比增长,高于此前10%的展望。
DRAM和NAND行业位出货量增长:公司预计,2026日历年DRAM和NAND的位出货量均将增长约20%,使公司出货量与供应受限的行业增长保持一致。
个人电脑(PC)领域展望:预计2025年个人电脑销量将实现高个位数百分比增长,高于此前中个位数的展望。
移动市场展望:2025年智能手机出货量将实现低个位数百分比增长;第三季度,搭载12GB DRAM的旗舰手机出货占比达59%,较一年前翻了一番以上。
技术量产:到2026日历年下半年,1-gamma DRAM节点将成为DRAM位产出的主要来源;G9 NAND技术迭代将推动NAND位增长。
洁净室/晶圆厂扩建:爱达荷州第一座晶圆厂预计将于2027年年中开始生产晶圆,早于此前预期;爱达荷州第二座晶圆厂将于2026年动工,2028年投入运营;纽约晶圆厂计划于2026年初破土动工,2030年及以后开始供应产品。
客户合同:正在与客户协商多年期DRAM和NAND合同,这些合同“包含具体承诺,且合同结构比以往更为完善”。
供应限制:管理层表示,“中期来看,我们仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求。”
以下为电话会议完整文字记录(由人工智能辅助翻译,部分内容存在删减):
萨提亚·库马尔:谢谢大家,欢迎参加美光科技公司(Micron Technology, Inc.)2026财年第一季度财务电话会议。今天与我一同出席会议的有公司董事长、总裁兼首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉,以及首席财务官马克·墨菲。
桑贾伊·梅赫罗特拉:谢谢萨提亚。美光科技公司2026财年开局表现出色,第一财季营收、毛利率和每股收益均远超指引区间的上限。这一财务业绩得益于我们在供应紧张的环境下,在终端市场和产品方面的强劲执行。2026财年第一季度,我们取得了多项纪录。公司总营收、DRAM和NAND营收、HBM和数据中心营收,以及各业务部门的营收均创下新高。我们已完成2026日历年全部HBM供应的价格和销量协议,包括美光行业领先的HBM4。
我们预测,到2028日历年,HBM总潜在市场(TAM)的复合年增长率(CAGR)约为40%,将从2025年的约350亿美元增长至2028年的约1000亿美元。这一1000亿美元的HBM总潜在市场(TAM)里程碑现在预计将比此前展望提前两年实现。值得注意的是,2028年HBM总潜在市场(TAM)的预测规模超过了2024日历年整个DRAM市场的规模。我们对定制化HBM4E客户合作感到兴奋,这为我们提供了进一步差异化的机会,同时我们在HBM产品路线图上也持续取得良好进展。内存如今已成为人工智能(AI)认知功能的核心要素,其角色已从系统组件发生根本性转变,成为决定从数据中心到终端边缘设备产品性能的战略资产。
这一结构性转变意味着,系统性能在很大程度上依赖先进内存来实现实时上下文处理,这对于人工智能(AI)数据中心以及自动驾驶汽车、先进医疗诊断等各类应用实现自主智能行为至关重要。凭借我们的技术领先地位、差异化的产品组合、强劲的运营执行能力和稳健的资产负债表,美光科技公司正处于其历史上最佳的竞争地位,并且是半导体行业中人工智能(AI)最大的赋能者之一。我们预计,2026财年第二季度和整个财年,营收、毛利率、每股收益和自由现金流都将创下新的纪录,并且我们预计公司的业务表现将在年内持续走强。
持续强劲的行业需求以及供应限制正导致市场供应紧张,我们预计这种状况将持续到2026日历年之后。我们与客户在包含具体承诺的多年期合同方面取得了进展。同时,我们正专注于最大化现有产能的产量、推进行业领先的技术节点量产,并投资建设新的洁净室以提升供应能力。美光科技公司的技术领先地位是我们强大竞争优势的基础。美光科技公司在DRAM领域连续四个技术节点、在NAND领域连续三个技术节点引领行业,且每个节点的良率提升速度都在不断加快。我们的1-gamma DRAM节点量产进展顺利。
1-gamma将成为2026日历年我们DRAM位增长的主要驱动力,并将在该日历年下半年成为我们产出的主要来源。展望1-gamma之后,我们已启动1-delta和1-epsilon节点的研发,这些节点将融入创新技术,我们预计将进一步扩大我们的差异化优势和技术领先地位。在NAND领域,我们正在推进G9节点的量产,数据中心和客户端固态硬盘(SSD)的良率均实现稳健提升。本季度,包括G9 QLC在内的QLC NAND产品占比达到历史新高。向G9技术的迭代将成为2026日历年我们NAND位增长的主要驱动力,预计在2026财年下半年,G9将成为我们最大的NAND节点。
我很高兴地报告,就内部和客户质量指标而言,2025日历年是美光科技公司的创纪录之年,这使我们作为内存行业的质量领导者,能够更好地为客户提供服务。随着我们的产品越来越多地集成到高价值应用中,我们在质量方面的领先地位正成为一个更为重要的差异化优势。转向我们的终端市场,随着全球领先科技公司向通用人工智能(artificial general intelligence)迈进并改变全球经济,我们的客户正致力于进行非凡的多年期数据中心建设。人工智能(AI)数据中心容量的这种增长,正推动对高性能、大容量内存和存储的需求大幅增加。
服务器出货量需求显著增强,我们现在预计2025日历年服务器出货量将实现高个位数百分比增长,高于上一次财报电话会议上10%的展望。我们预计2026年服务器需求将继续保持强劲。服务器内存和存储容量及性能要求随着产品迭代不断提高。美光科技公司拥有差异化的高价值数据中心解决方案组合,以满足这些需求,包括我们的HBM、大容量服务器内存解决方案和数据中心固态硬盘(SSD)。美光科技公司的HBM4具有超过11吉比特每秒(gigabits per second)的行业领先速度,按计划将于2026日历年下半年以高良率量产,与客户的产品量产计划保持一致。
我们的HBM4在基底逻辑芯片和DRAM核心芯片上采用了先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)和先进金属化制程技术,这些芯片均由我们内部设计和制造。加之我们独特的HBM设计、封装和测试能力,使美光科技公司实现了行业领先的性能和低功耗优势。美光科技公司率先在数据中心采用低功耗DRAM(LPDRAM)。美光科技公司的低功耗DRAM服务器模块的功耗仅为双数据速率(DTR)DRAM服务器模块的三分之一。在这一领先地位的基础上,我们已向客户提供192吉字节(gigabyte)LP SOCAM2产品的样品,该产品可使每个模块的容量增加50%,机架级低功耗DRAM(LPDRAM)密度超过50太字节(terabytes)。
本季度,我们数据中心NAND产品组合的营收超过10亿美元,并且在我们领先的NAND技术支持下,数据中心固态硬盘(SSD)产品组合正呈现强劲增长势头。在高性能固态硬盘(SSD)领域,美光科技公司利用我们的G9 NAND推出了全球首款PCIe Gen6固态硬盘(SSD)。我们看到该产品的认证承诺迅速增加,包括超大规模数据中心客户的认证承诺。在主流存储领域,基于G9 NAND的固态硬盘(SSD)在2026年已获得强劲需求。在容量存储领域,基于QLC的122太字节(terabytes)和245太字节(terabytes)G9固态硬盘(SSD)正进入多家超大规模数据中心客户的认证阶段。个人电脑(PC)需求继续受到Windows 10系统终止支持和人工智能(AI)个人电脑(PC)的推动。
我们预测,2025日历年个人电脑(PC)出货量将实现高个位数百分比增长,高于上一次财报电话会议上中个位数的预期。展望2026年,我们预计这些需求驱动因素将持续存在,同时内存供应限制可能会影响部分个人电脑(PC)出货量。美光科技公司已完成基于1-gamma的16吉比特(gigabit)DDR5以及基于G9的PCIe Gen4 QLC固态硬盘(SSD)的多项原始设备制造商(OEM)认证。转向移动领域,2025日历年智能手机出货量有望实现低个位数百分比增长。人工智能(AI)正推动内存容量增长。
2025日历年第三季度,搭载12吉字节(gigabyte)DRAM的旗舰智能手机出货占比增至59%,较一年前翻了一番以上。美光科技公司正在加快移动DRAM产品组合的创新。2026财年第一季度,我们开始向领先的原始设备制造商(OEM)和生态系统合作伙伴提供突破性的1-gamma 16吉比特(gigabit)LPDDR6产品的样品,这标志着下一代内存技术的一个重要里程碑。LPDDR6将为终端边缘人工智能(AI)提供支持,为旗舰智能手机和人工智能(AI)个人电脑(PC)带来超过50%的性能提升和更高的能效。美光科技公司还提供了1-gamma LP5X 24吉比特(gigabit)产品的样品,并开始向多家原始设备制造商(OEM)批量出货此前宣布的1-gamma LP5X 16吉比特(gigabit)产品。转向汽车、工业和嵌入式领域。
在汽车领域,L2+和L3自动驾驶技术的采用正推动当前需求强劲增长,并且客户的产品路线图显示,全自动驾驶汽车的内存容量将大幅提升。凭借差异化的产品组合和在汽车市场的份额领先地位,美光科技公司在增长方面处于独特地位。我们的功能安全(ASIL)认证LPDDR5X和通用闪存存储(UFS)4.1 NAND产品针对汽车和先进机器人进行了优化,具备增强带宽的特性,正获得强劲需求,并已获得数十亿美元的设计订单。在工业领域,受各类应用中自主系统采用率不断提高的推动,需求持续走强。
工业应用中内存和存储的长期需求趋势依然强劲,例如工厂自动化、航空航天和国防、人形机器人、边缘网络和视频监控等领域。在汽车和工业市场,LPDDR4X和DDR4也面临强劲需求,我们正投资弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂,以提供长期供应。现在转向我们的市场展:在过去几个月里,客户的人工智能(AI)数据中心建设计划推动了内存和存储需求预测的大幅增长。我们认为,在可预见的未来,行业总供应量仍将大幅低于需求。
由于HBM与DDR5的产能置换比例为3:1,且未来几代HBM的这一置换比例还将进一步提高,HBM需求的急剧增长进一步加剧了供应紧张。要满足这种增长的需求,需要额外的洁净室空间,而全球范围内洁净室建设的交付周期正在延长。这些供需因素共同导致DRAM和NAND行业供应紧张,我们预计这种紧张状况将持续到2026日历年及以后。2025日历年DRAM和NAND位需求增长预期高于上一次财报电话会议的展望。我们现在预计,2025日历年DRAM位需求增长将处于低20%区间,而此前为高个位数区间。
我们预计2025年NAND位需求增长将处于高个位数百分比区间,而此前为低至中个位数区间。我们预计2026日历年行业DRAM和NAND出货量增长将受到行业供应的限制。我们预计2026日历年DRAM和NAND行业出货量都将较2025年增长约20%。美光科技公司正努力在这一时期支持客户的需求,预计2026日历年我们的DRAM和NAND出货量将增长约20%。尽管做出了巨大努力,但我们对无法满足所有市场领域其他客户的需求感到失望。
美光科技公司计划将2026财年的资本支出增加至约200亿美元,高于此前估计的180亿美元。这一增长将主要用于支持我们的HBM供应能力以及2026日历年1-gamma的供应。我们正在提前设备订单并加快安装时间表,以最大化产出能力。美光科技公司还在全球制造基地进行投资,以增加供应,支持长期需求。我们看到客户对我们计划中的美国供应反应热烈。我们已提前爱达荷州第一座晶圆厂的时间表,现在预计将于2027日历年中期实现首批晶圆产出,早于此前2027日历年下半年的预期。
今年早些时候,我们宣布了爱达荷州第二座晶圆厂的计划,该晶圆厂将于2026年动工,2028年投入运营。我们在纽约工厂获得必要许可方面取得了良好进展,并感谢纽约州和特朗普政府的合作。我们计划于2026日历年年初在纽约第一座晶圆厂破土动工,预计该工厂将于2030年及以后开始供应产品。在日本,在美国贸易代表办公室(METI)的支持下,我们正在进行技术和制造投资。我们正与博伊西研发团队合作,推动未来DRAM技术的迭代。
我们还在广岛晶圆厂增加洁净室空间,以支持这些先进节点,这将提高生产规模并优化晶圆厂的经济效益。在新加坡,我们的HBM先进封装工厂按计划将于2027日历年为我们的HBM供应做出重大贡献。随着HBM成为新加坡制造基地的一部分,我们预计NAND和DRAM生产之间将产生协同效应。我们对印度组装和测试工厂的进展感到满意,该工厂已启动试生产,并将于2026年量产。随着我们在战略制造计划上取得进展,我们将继续对市场环境做出响应,并对资本支出计划保持审慎态度。
现在,我将会议交给马克,由他介绍我们2026财年第一季度的财务业绩和展望。
马克·墨菲:谢谢桑贾伊,大家下午好。美光科技公司2026财年第一季度取得了强劲的财务业绩,营收、毛利率和每股收益均超出指引区间的上限。本季度,我们产生了创纪录的自由现金流,减少了债务,并恢复了净现金状态。2026财年第一季度总营收为136亿美元,环比增长21%,同比增长57%,连续第三个季度创下季度纪录。我们所有业务部门的营收均实现环比增长。2026财年第一季度DRAM营收为创纪录的108亿美元,同比增长69%,占总营收的79%。
环比来看,DRAM营收增长20%,出货量小幅增长,价格上涨20%,这主要得益于行业DRAM供应紧张、定价执行以及有利的产品组合。2026财年第一季度NAND营收为创纪录的27亿美元,同比增长22%,占美光科技公司总营收的20%。环比来看,NAND营收增长22%。NAND出货量增长中高个位数百分比,价格涨幅为百分之十几,这主要得益于行业NAND供应紧张、定价执行以及有利的产品组合。2026财年第一季度综合毛利率为56.8%,环比提升11个百分点。这一改善得益于更高的定价、强劲的成本管控以及有利的产品组合。
现在转向各业务部门的季度财务表现。云内存业务部门营收为创纪录的53亿美元,占公司总营收的39%。云内存业务部门(CMBU)营收环比增长16%,主要得益于位出货量的增加和价格的上涨。云内存业务部门(CMBU)毛利率为66%,环比提升620个基点,这得益于成本管控和价格上涨。核心数据中心业务部门营收为创纪录的24亿美元,占公司总营收的17%。核心数据中心业务部门(CDBU)营收环比增长51%,主要得益于强劲的位出货量和价格上涨。核心数据中心业务部门(CDBU)毛利率为51%,环比提升990个基点,这得益于价格上涨和成本管控。
移动与客户端业务部门营收为创纪录的43亿美元,占公司总营收的31%。移动与客户端业务部门(MCBU)营收环比增长13%,主要得益于价格上涨,部分被位出货量下降所抵消。移动与客户端业务部门(MCBU)毛利率为54%,环比提升17个百分点,主要得益于价格上涨。汽车与嵌入式业务部门营收为创纪录的17亿美元,占公司总营收的13%。汽车与嵌入式业务部门(AEBU)营收环比增长20%,主要得益于位出货量的增加和价格的上涨。汽车与嵌入式业务部门(AEBU)毛利率为45%,环比提升14个百分点,主要得益于价格上涨。2026财年第一季度营业费用为13亿美元,环比增加1.2亿美元,与我们的指引区间一致。
环比增长主要是由于支持新DRAM和NAND技术节点的技术和产品开发相关的研发支出增加。2026财年第一季度,我们产生了64亿美元的营业利润,营业利润率为47%,环比提升12个百分点,同比提升20个百分点。2026财年第一季度税费为9.77亿美元,有效税率为15.1%。2026财年第一季度非公认会计原则(Non-GAAP)稀释后每股收益为4.78美元,环比增长58%,较上年同期增长167%。转向现金流和资本支出。2026财年第一季度,经营现金流为84亿美元,资本支出为45亿美元,产生自由现金流39亿美元。
2026财年第一季度自由现金流创下季度纪录,较2018财年第四季度的此前纪录高出逾20%。2026财年第一季度期末库存为82亿美元,环比减少1.5亿美元,库存周转天数为126天。DRAM库存周转天数依然紧张,低于120天。在资产负债表方面,季度末我们持有120亿美元现金和投资,加上未使用的信贷额度,流动性为155亿美元。2026财年第一季度,根据《芯片与科学法案》(CHIPS agreement)的条款,我们回购了3亿美元的股票。本季度,我们还减少了27亿美元的债务,偿还了10亿美元的定期贷款余额,并赎回了17亿美元的优先票据。
季度末,我们的债务为118亿美元,净现金余额超过2.5亿美元。整个财年,我们预计将通过产生额外的自由现金流进一步加强资产负债表。在转向展望之前,我想分享一下美光科技公司如何从人工智能(AI)应用中受益的最新情况。如今,我们超过80%的专业员工积极使用生成式人工智能(GenAI),总使用量较去年增长了十倍。在制造业,将人工智能(AI)融入良率和质量管理,在部分情况下将根本原因识别时间缩短了一半。我们的编码团队使用AgenTeq人工智能(AI)实现了30%或更高的效率提升。
在研发方面,生成式人工智能(GenAI)通过缩短设计验证、产品验证、问题分类和根本原因分析的周期,加速了研发进程。在各个业务职能部门,生成式人工智能(GenAI)正在扩大自动化机会,我们正在部署对话式分析,以加快和改进决策制定。我们预计,美光科技公司在整个企业中对人工智能(AI)的应用将在未来几年进一步增强我们的竞争力。现在转向我们对2026财年第二季度的展望。DRAM和NAND的行业需求均大于供应。我们预计更高的价格、更低的成本和有利的产品组合都将有助于第二季度毛利率的扩大。2026财年第二季度营业费用预计约为13.8亿美元。
正如上一季度所提到的,由于2026财年为全年为53周的财年,美光科技公司2026财年第四季度的营业费用(OpEx)也将反映额外一周工作时间的影响。我们预计2026财年第二季度和整个财年的税率约为15.5%。美光科技公司正以审慎的方式在全球制造基地进行投资,以更好地满足需求。为应对可能持续到2026年以后的紧张供需状况,我们现在预计2026财年的资本支出约为200亿美元,主要集中在财年下半年。我们预计2026财年第二季度自由现金流将有所改善,并且2026财年自由现金流将较上年同期显著增长。
我们的指引中未包含可能因潜在新关税而产生的任何影响。考虑到所有这些因素,我们对2026财年第二季度的非公认会计原则(Non-GAAP)指引如下:我们预计营收将达到创纪录的187亿美元(上下浮动4亿美元),毛利率将在68%左右(上下浮动1个百分点),营业费用为13.8亿美元(上下浮动2000万美元)。基于约11.5亿股的流通股数量,我们预计每股收益将达到创纪录的8.42美元(上下浮动0.20美元)。现在,我将会议交给桑贾伊收尾。
桑贾伊·梅赫罗特拉:谢谢马克。人工智能(AI)驱动的需求已然到来,并且正在加速增长。美光科技公司正凭借其历史上最佳的竞争地位抓住这些机遇。这一成功建立在我们全球团队的实力之上,我要感谢全球各地的团队成员所付出的辛勤工作和奉献。我们正处于美光科技公司历史上最令人振奋的时期,而最美好的还在后面。现在,我们将开启提问环节。
操作员:好的,先生。我看到第一个问题来自瑞银集团(UBS)的蒂莫西·阿库里(Timothy Arcuri)。瑞银集团的蒂莫西·阿库里,您的线路已接通。
蒂莫西·阿库里:非常感谢。桑贾伊,我想问问关于客户长期协议(LTAs)的问题。我知道我们听说DDR5正与HBM捆绑销售,在某些情况下甚至还包括NAND。所以您能谈谈这些长期协议(LTAs)的情况吗?我知道这些协议似乎将延续到2026年,在某些情况下甚至到2027年。我还听说有些协议会延续到2028年。所以您能谈谈这些长期协议(LTAs)的性质吗?之后我还有一个关于人工智能(AI)的后续问题。谢谢。
桑贾伊·梅赫罗特拉:这些是我们正在与几位关键客户协商的多年期合同。当然,这些合同涉及DRAM和NAND。关于回报,我们正在协商的这些合同与以往的长期协议(LTAs)有很大不同。它们包含具体的承诺,并且合同结构更为完善。除此之外,目前我无法提供更多细节。当然,在未来适当的时候,我们将分享更多信息。
蒂莫西·阿库里:谢谢。然后,马克,我想问问关于资本支出(CapEx)的问题。你们将资本支出(CapEx)净增至200亿美元,但这似乎仍然——我的意思是,你们没有提供2026财年全年的营收指引,所以我们实际上并不知道资本密集度数字是多少。但这似乎在25%到30%之间,略低于你们通常认为的35%的标准。这是因为晶圆厂空间受限吗?您能谈谈这是否会延续到2027财年,届时我们会看到资本密集度更接近35%的水平吗?谢谢。
马克·墨菲:好的,蒂姆。好的,所以蒂姆,你说得对。我们没有提供全年的营收指引。我们确实表示2026财年的资本支出(CapEx)将会增加。并且,这一资本支出(CapEx)的很大一部分将用于支持DRAM,特别是HBM以及1-gamma DRAM。我想说的是,从2025年到2026年,实体建设资本支出(CapEx)计划大致翻倍。目前,我们预计2027年的资本支出(CapEx)将会增加。
但我想强调的是,美光科技公司将对资本支出(CapEx)增长保持审慎态度,并且供应将与需求保持一致。
关于资本密集度的问题,当然,随着市场环境保持非常有利的态势,我们的资本密集度正在下降,并且我们当然正在努力提高资本支出的效率。
蒂莫西·阿库里:好的,马克。谢谢。
操作员:我看到下一个问题来自坎托·菲茨杰拉德公司的CJ·缪斯。
CJ·缪斯:下午好。感谢您抽出时间回答问题。我想,马克,接着上一个关于资本支出(CapEx)的问题,在我们所处的背景下,资本支出的相对增长似乎非常保守。而且,感觉你们只是因为没有洁净室空间而受限,而且听起来你们并没有有意义地提前洁净室建设。所以您能谈谈这方面的理念吗?而且,我想从您的评论中得出的结论是,你们在增加产能方面非常保守和审慎。
马克·墨菲:嗯,我想说的是,几个季度以来,我们一直表示供应存在问题,我们一直在减少库存,技术节点迭代将是2026财年供应增长的主要来源。而这正是目前正在发生的情况。而且,我们知道洁净室空间的建设需要时间。而随着人工智能(AI)驱动的需求,HBM的增长进一步加剧了供应压力,所以没有近期的解决方案。正如我们在准备发言中所说,我们预计整个行业都将面临需求缺口。在这方面,我们也不例外。
但我们正在迅速采取行动,尽最大努力为客户提供供应。我们已经提前了设备订单。我们已经加快了爱达荷州的建设。我们正在利用现有产能和近期的产能扩张,尽一切努力交付供应。所以,我们提供了2026年的增长数字。而这一增长受到供应的限制。
桑贾伊·梅赫罗特拉:我想补充的是,当然,我们正在继续在现有产能中进行技术迭代的投资。正如我们所强调的,1-gamma节点将成为2026年我们供应增长的主要驱动力。当然,你们已经看到我们不仅在技术迭代方面进行投资,还在新建产能方面进行投资,同时还在日本的现有洁净室中提高技术生产能力,我们也在那里进行必要的投资。所以当然,我们保持审慎,但我们非常专注于并努力提高供应。
并且对我们爱达荷一号、爱达荷二号以及纽约的计划感到满意。当然,在短期内,我们非常专注于最大化生产效率,最大化现有产能的产量。但是,是的,需求基本面非常强劲。受客户建设的推动,从数据中心到终端边缘设备的人工智能(AI)需求强劲,供应严重短缺。而且,我想说的是,中期来看,我们仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求。所以我们仍然非常专注于努力增加供应,并进行必要的投资。
CJ·缪斯:非常有帮助。然后我想再问一个关于毛利率的问题,显然,指引非常出色。但我很好奇,在2026日历年期间,我们应该如何看待DRAM和NAND的成本下降?并且,当你们从HBM3E过渡到HBM4时,是否有任何我们应该注意的事项,或者我们应该在模型中考虑的因素,例如由于良率等原因可能会暂时出现更高的成本。非常感谢。
马克·墨菲:是的。所以我们在DRAM和NAND方面的成本执行都非常出色。当然,我们获得了一些规模效应,但支出控制也非常好。良率表现良好。我们确实有一些新晶圆厂的启动成本,整个网络的新建设成本。这些成本将从2026年开始逐步显现,并持续到2027年。但以目前的业务规模来看,这对利润率的影响相对较小。我们不会提供全年的成本指引,因为这取决于多种因素,包括产品组合。
但关于你之前的问题,我可以说,我们已经讨论过1-gamma DRAM和G9 NAND。这些将在2026年实现供应。这些量产进展顺利,并将随着这些节点的量产为我们的成本带来积极影响。
桑贾伊·梅赫罗特拉:关于你关于HBM3E和HBM4的问题,正如我们所说,我们将根据客户需求,在2026日历年第二季度开始量产HBM4。当然,我们的HBM4进展非常顺利。我们对我们的产品感到非常满意,这是一款行业领先的产品,具有超过11吉比特每秒(gigabits per second)的最高性能。所以,这是最高的性能。我们对其整体良率提升感到非常满意,并且我们预计HBM4的良率提升速度将比我们的HBM3E更快。
当然,2026年我们HBM3E和HBM4的产品组合将在很大程度上基于我们的整体客户需求,并且这两款产品都将在我们2026年的营收中占据重要地位,具有强劲的业绩表现。
马克·墨菲:谢谢。
操作员:我看到下一个问题来自摩根大通(JPMorgan)的哈兰·苏尔(Harlan Sur)。请提问。
哈兰·苏尔:嘿。下午好,季度执行表现非常出色。在过去的三到四个月里,随着我们追踪不同的专用集成电路(ASIC)人工智能(AI)加速器(XPU)项目,我们发现明年专用集成电路(ASIC)人工智能(AI)加速器(XPU)的出货量预测有了显著上调。比如谷歌的张量处理单元(TPU)、亚马逊网络服务(AWS)的Trinium等等。对吗?而且所有这些加速器(XPU)仍然将使用HBM3E。你们团队是否在2026年的订单簿中看到了这种近期HBM3E的积极动态?
并且,考虑到你们2026日历年的产能已经完全签约,而明年的展望似乎有很大的增长空间,美光科技公司的团队将如何努力管理HBM3E的这种增长空间以及强劲的HBM4需求情况?
桑贾伊·梅赫罗特拉:正如我之前提到的,哈兰,2026年将同时有HBM3E和HBM4产品。过去我们曾与你们分享过,我们正在与HBM客户的整个生态系统进行合作。并且非常深入地参与其中。他们都将为我们2026年营收的同比强劲增长做出贡献,当然,这将由HBM3E和HBM4共同构成。所以正如我所说,我们将根据客户需求继续管理这两款产品的组合。我可以告诉你,2026年HBM的供应将非常紧张。
非HBM DRAM的供应也将非常紧张。所以正如我们在准备发言中所强调的,我们继续看到供应环境日益紧张。当然,我们预计2026年我们的HBM将实现强劲的同比增长。今天我们上调了我们的营收预测,或者说,对于HBM,我们强调到2028年,我们预计其总潜在市场(TAM)将达到1000亿美元,这比我们之前的展望提前了两年。所以,当然,HBM正处于良好的发展轨道上。
我还可以告诉你的是,随着客户的架构不断发展,他们的平台不断发展,这些客户遍布整个生态系统,当然,他们需要越来越多的HBM。我的意思是,内存对于提供人工智能(AI)能力、功能和性能至关重要,并且需要更多的HBM,这适用于行业内的各种人工智能(AI)平台。
哈兰·苏尔:感谢你,桑贾伊。在经历了两到三个季度的企业市场疲软趋势之后,根据一些第三方研究机构的估计,该业务出现了强劲的复苏,对吗?我认为你们的企业固态硬盘(SSD)业务在最近一个季度环比增长了约25%。对吗?在八到九家竞争对手中,你们是市场份额第三的领导者,非常强劲的市场份额地位。考虑到这里不断增长的需求趋势和不断延长的交付周期,美光科技公司的团队是否也在与企业固态硬盘(SSD)客户签订长期供应协议?
其次,固态硬盘(SSD)需求是否更多地与推理工作负载的扩张相关,因为客户正积极转向商业化?换句话说,推理工作负载的存储密集度是否高于训练工作负载?
桑贾伊·梅赫罗特拉:所以关于企业固态硬盘(SSD),我们真的为我们的工程团队、业务团队以及当然还有我们的销售团队在客户合作方面所取得的强劲势头和市场份额增长感到自豪。当然,我们的企业固态硬盘(SSD)是我们所说的数据中心产品组合强化的重要组成部分。当然,DRAM在数据中心的产品组合占比继续提高,但数据中心固态硬盘(SSD)也是我们整体营收组合的重要组成部分。并且,我们预计将继续通过强大的固态硬盘(SSD)产品路线图、客户合作以及为客户提供的卓越质量,专注于市场份额的增长。
正如我所提到的,我们正在与几位关键客户协商多年期合同。我们的固态硬盘(SSD),我们的数据中心固态硬盘(SSD)也是其中的一部分。并且我想告诉你的是,这些多年期合同不仅仅针对数据中心客户。它们还涉及我们多个市场领域的多个客户。关于你的问题,即固态硬盘(SSD)需求是否随着推理工作负载相对于训练工作负载的增长而增长?我可以告诉你的是,在数据中心人工智能(AI)应用中,随着生成式人工智能(GenAI)越来越多地转向视频领域,当然,这也推动了对更多固态硬盘(SSD)的需求。
所以,人工智能(AI)从训练到推理的快速发展,以及人工智能(AI)模型和应用的快速迭代,都在推动企业固态硬盘(SSD)的增长。是的,这是由生成式人工智能(GenAI)推动的。
哈兰·苏尔:谢谢,桑贾伊。
操作员:我看到下一个问题来自巴克莱银行(Barclays)的托马斯·奥马利(Thomas O'Malley)。请提问。
托马斯·奥马利:嘿,各位。感谢你们抽出时间回答我的问题。桑贾伊,过去你曾帮助我们了解美光科技公司HBM的量产情况以及整个市场的量产情况。你提供了一些关于HBM的新信息,总潜在市场(TAM)为350亿美元,复合年增长率(CAGR)为40%。但具体到美光科技公司,我很好奇你能否告诉我们,从营收角度来看,HBM目前占DRAM业务的百分比是多少?然后关于市场份额,进入明年,显然有一个大型竞争对手正寻求在HBM3方面更具竞争力。我们还没有听到关于HBM4的任何消息。
你对明年的竞争地位有何看法?并且,基于未来几个月他们内存的公开认证情况,你是否认为你会做出任何不同的战略决策?非常感谢。
桑贾伊·梅赫罗特拉:我们对我们的竞争地位感到非常满意。我们对我们的产品以及我们强调的具有超过11吉比特每秒(gigabits per second)行业领先性能的HBM4产品感到非常、非常满意。我们的产品在性能方面具有最佳规格,当然,我们对我们产品的功耗也感到非常满意。你知道,过去我们曾与你们分享过,我们的HBM3E比行业内任何竞争对手的产品功耗都低30%,并且我们保持着这种低功耗的优势,这在数据中心应用中非常重要。是的。所以我们在性能和功耗方面都保持着领先地位。
当然,我们在HBM4产品路线图方面也具有强劲的产能地位。所以我们对我们的竞争地位、我们的产品路线图以及未来几年(2026年以后)的产品路线图都感到非常满意。我们为我们的团队在过去几个季度成功推进HBM3E量产能力所付出的努力感到非常自豪。我们曾与你们分享过,在2025日历年第三季度,我们的HBM市场份额已达到与我们的DRAM市场份额相当的水平。
并且我们一直强调,一旦达到这一市场份额,特别是在这种供应紧张的环境下,我们将特别管理我们的HBM和非HBM产品组合。所有这些产品的需求都非常旺盛。而且,HBM和非HBM都具有强劲的盈利能力。所以,考虑到我们的战略客户关系以及我们的整体盈利能力目标和增长目标,我们将继续管理HBM和非HBM之间的产品组合。但是,当然,HBM正在增长,我们强调到2028年,我们预计其总潜在市场(TAM)将达到1000亿美元,比我们之前的预测提前了几年。
当然,我们的HBM业务也将实现增长。2026年,我们的HBM将实现强劲的同比增长。并且,正如我所提到的,在这种供应紧张的环境下,包括HBM在内的所有DRAM的供需缺口确实是我们所见过的最大的,我之前也对此进行了量化。所以在这种环境下,当然,我们与客户密切合作,继续管理我们的产品组合。
托马斯·奥马利:非常好。然后再问一个问题,你过去曾提到过约80亿美元的运行率。如果你看看11月和2月的季度,你们上调了总潜在市场(TAM),但能否具体说明11月季度HBM的贡献以及你们在指引中对HBM的预期?
桑贾伊·梅赫罗特拉:你知道,我们在这里不会提供这些具体的细分数据。我们的HBM营收创下了纪录。我们确实强调了这一点。我的意思是,我们在2026财年第一季度强调了这一点。除此之外,我们真的不会提供具体的营收数据。我只想再次告诉你,2026年,我们的HBM营收将实现强劲的同比增长。
马克·墨菲:谢谢,先生。而且我们的产品定位非常好。所以,在管理业务的整体组合方面,这是一个非常有利的位置。
托马斯·奥马利:谢谢。
操作员:我看到下一个问题来自考恩公司(TD Cowen)的克里希纳·桑卡尔(Krish Sankar)。请提问。
克里希纳·桑卡尔:恭喜取得如此出色的业绩和指引。我的第一个问题是问马克的。我知道你谈到了明年的可持续性。我有点好奇,除了2月的季度之外,我们应该如何看待毛利率,比如到5月的季度。毛利率会继续改善还是保持在这些水平?应该如何看待毛利率?我还有一个问题要问桑贾伊。
马克·墨菲:谢谢,克里希纳。我们没有提供第二季度以后的毛利率指引。如你所知,我们确实指引了第二季度的毛利率将创下纪录,达到68%。环比提升11个百分点,比此前的纪录高出7个百分点。我们确实表示我们的业务将在年内持续走强。所以我们确实认为毛利率有进一步提升的空间。我们确实认为DRAM和NAND的毛利率都将上升。但请记住,在如此高的毛利率水平下,从数学角度来看,相同的价格上涨所带来的毛利率百分比增长会更小。所以,是的,我们预计毛利率将在2026财年第二季度之后继续扩大。
但我们预计这种增长将比过去几个季度(第一季度和第二季度指引)的增长更为平缓。你知道,我们已经表示业务将在年内持续走强,因为我们相信这种有利的市场环境将持续一整年。这些有利的市场条件。但同时,我们在成本方面的执行也非常出色。并且正如桑贾伊之前提到的,我们正在将产品位容量投入到市场中最具价值的部分,以及我们能够最好地为客户服务的领域。
克里希纳·桑卡尔:明白了。非常有帮助,马克。谢谢你。然后桑贾伊,作为对之前问题的后续,我理解你想要设定一些边界条件。但是,一年前,当你说你将获得与你的DRAM市场份额相当的HBM市场份额时,你完全说中了。所以当你谈到2028年、40%的复合年增长率(CAGR)、1000亿美元的总潜在市场(TAM)时,我们应该如何看待美光科技公司在其中的HBM市场份额?是否会在20%左右的区间,或者会更低?谢谢。
桑贾伊·梅赫罗特拉:所以,克里希纳,再次强调,我们不会具体说明市场份额。正如我们所说,我们将管理HBM和非HBM之间的业务组合。这就像我们产品组合中的任何其他产品一样。当你的产品组合中拥有强大的产品路线图时,当然,我们会在考虑所有战略和客户关系的前提下,管理整个产品组合的平衡。所以,克里希纳,我们不会对此进行细分。我只想说,在当前我们认为在可预见的未来具有持久行业基本面的行业环境中。
我们处于非常有利的位置,受益于我们产品组合的所有积极因素,当然,包括HBM以及数据中心和其他市场中的非HBM在内的所有内存的价值都在不断提升。我们将继续非常专注于管理我们的业务组合,当然,同时也要考虑中期和长期的最佳利益。
克里希纳·桑卡尔:非常感谢你,桑贾伊。非常感谢。
操作员:谢谢。请稍候,等待下一个问题。我们的下一个问题来自花旗集团(Citi)的克里斯·丹利(Chris Danely)。请提问。
克里斯·丹利:嘿。谢谢各位。所以我只想深入了解一下你们正在协商的这些长期客户合同。你能让我们更清楚地了解你认为何时能够签署这些合同,然后也许谈谈目前的阻碍是什么。仅仅是因为前所未有的期限长度?还是规模?并且,考虑到人工智能(AI)公司要求获得你们如此多的产能,你们是否能够让他们或多或少地为新建晶圆厂做出贡献?谢谢。
桑贾伊·梅赫罗特拉:所以我们不会深入讨论我们与客户的合同谈判细节。但我想再次强调几个重要因素,即客户担心在我们即将进入的环境中能否长期获得足够的内存。并且,这正促使我们与多个市场领域的几位关键客户进行建设性的对话。关于他们的供应以及与这些长期预估相关的其他重要具体承诺。所以不会提供具体细节,但正如我所强调的,我们正在讨论的合同结构与以往任何合同都不同。
它们具有更强的合同结构和具体的承诺,当然,与以往合同不同的是,那些合同通常是基于金额的合同,而这些合同也是多年期的。并且,在考虑客户讨论时,我们当然必须考虑我们的整体供应。我已经向你们提到,中期来看,我们仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求。
所有这些,在我们管理客户关系并牢记我们的战略目标时,都必须在合同谈判中加以考虑。但在这里,我们真的不会提供具体细节。
克里斯·丹利:这仍然非常有帮助,桑贾伊。谢谢。我的后续问题是关于HBM及其定价的。所以鉴于需求如此强劲,我想你说过2026年的产能已经售罄。你们是锁定在固定价格,还是可以像DDR5那样,在需求如此强劲的情况下让价格有一定的浮动空间?
桑贾伊·梅赫罗特拉:你知道,我们对我们的产品定位以及我们如前所述的与客户合作的能力感到非常满意。在我们的准备发言中,我们强调2026年的HBM在销量方面已经售罄,并且我们与客户关于2026日历年销量和定价的谈判已经完成。正如我们一直强调的,我们的HBM具有强劲的盈利能力,当然,我们非常注重投资回报率(ROI)。我们的非HBM业务也显然具有健康的盈利能力,这体现在我们所取得的业绩以及我们提供的指引中。
克里斯·丹利:非常好。谢谢,桑贾伊,再次恭喜取得如此出色的业绩。
桑贾伊·梅赫罗特拉:谢谢。
操作员:谢谢。我看到下一个问题来自美国银行证券(Bank of America Securities)的维韦克·阿里亚(Vivek Arya)。请提问。
维韦克·阿里亚:感谢你们抽出时间回答我的问题。桑贾伊,我很好奇,内存价格的上涨在何时会影响电子产品的需求?如果不考虑数据中心和人工智能(AI)市场,你是否看到了一些价格弹性?展望2026年,对于更多的消费类产品和传统企业产品,你是否看到了任何需求影响?这将如何影响明年内存定价的走势?
桑贾伊·梅赫罗特拉:你知道,我们在准备发言中强调,在部分消费市场,是的。我的意思是,一些出货量需求可能会受到影响,考虑到这里的半导体价格,考虑到这里的内存价格。当然,一些客户可能会,例如在智能手机和个人电脑(PC)领域,他们可能也会对其产品组合进行一些调整,以适应他们可获得的供应。但是,这些都已纳入我们的预测中。所以,一些可能的出货量需求影响和一些客户产品组合的变化已经在我们的预测中得到了考虑。
当然,即便如此,我们仍然看到市场供应非常、非常紧张,供需缺口很大。然而,我想向你强调的是,从数据中心到终端边缘设备(包括智能手机、个人电脑(PC)和其他设备等终端边缘设备)的人工智能(AI)体验,更多的内存是必不可少的。所以,如果没有足够的内存,这些终端边缘设备中的人工智能(AI)体验、功能和性能也会受到影响。所以,核心要点是,从数据中心到终端边缘设备的全方位人工智能(AI)正在推动内存容量的增加,并且随着客户展望其产品路线图,对内存的需求也在不断增加。并且,这就是为什么客户当然正在与我们合作,以确保其长期多年期计划的供应。
操作员:谢谢。问答环节和今天的电话会议到此结束。现在,我宣布今天的电话会议结束。感谢大家的参与。各位现在可以挂断电话了。



