2015 年 9 月22日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出实现新的高通快速充电3.0协议的参考设计。新协议较现有快速充电2.0方案显著提升能效。这高能效、小型的参考设计，支持高通用于智能手机和平板电脑的下一代快速充电技术——快速充电3.0高压专用充电端口(HVDCP)A类和B类规格，并向后兼容旧的快速充电2.0协议。高通快速充电3.0技术是高通子公司高通科技的产品。安森美半导体推出完整参考设计并符合UL认证，有助于便携式应用的小型充电器的快速发展，提供领先业界的高能效。


这参考设计的亮点是新的NCP4371次级端充电控制器，支持充电器USB总线电压根据手机或便携式设备的需求而变化。为优化电池充电时间，USB总线电压可在3.6 V-20 V以分立步骤控制。这新的充电控制器也适用于A4WP无线充电应用，电压可基于参考设计的发射(TX)部分进行优化。

NCP4371也无需次级并联稳压器，就能实现一个充电器设计，节省了成本和所需空间。初级端控制器是安森美半导体的NCP1361 PSR准谐振PWM控制器，同步整流控制器是NCP4305。这两种控制器的结合成就高能效充电器的设计，符合欧盟能效标准(CoC Tier-2)要求。

安森美半导体AC-DC电源转换部总监Shane Chilton说：“快速充电能力正迅速获得所有便携式设备厂商的认可。我们很高兴能就下一代电源方案与高通合作，这配合我们致力为客户提供创新高能效方案的策略。”

封装和定价

NCP4371采用SOIC-8封装，每10,000片批量的单价为0.18美元。



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