【导读】近期，通用DRAM价格持续攀升，SK海力士敏锐捕捉到这一市场变化，正加速扩充其10纳米级第六代1c DRAM产能。此前，该公司为集中资源生产高带宽存储器（HBM），曾告知主要客户，自2025年第四季度起大幅削减通用DRAM供应。然而，通用DRAM价格不断走高，让SK海力士不得不重新审视战略布局。
近期，通用DRAM价格持续攀升，SK海力士敏锐捕捉到这一市场变化，正加速扩充其10纳米级第六代1c DRAM产能。此前，该公司为集中资源生产高带宽存储器（HBM），曾告知主要客户，自2025年第四季度起大幅削减通用DRAM供应。然而，通用DRAM价格不断走高，让SK海力士不得不重新审视战略布局。
根据SK海力士的预判，DRAM短缺的状况将持续至2027年底，而新建的用于传统芯片的新工厂要到2027年或2028年才能有产出。对此，SK海力士担忧，如果无法向终端客户供应通用DRAM，这些公司或将面临无业务可做的困境，这也是其考虑调整策略的重要原因。
此次产能扩张将依托于韩国本土多个核心工厂的协同：
●利川M14厂：定位为通用DRAM核心生产基地，预计贡献每月13万片的产能。
●利川M16厂：提供辅助产能，超过每月1万片。
●清州M15X厂：该厂原设计用于生产HBM相关的1b DRAM。调整后，计划将部分产能（约每月3万片）转向1c DRAM制程，同时保留约6万片产能继续服务HBM。
据悉，SK海力士计划从2026年上半年起，大幅提升1c制程的LPDDR5X和GDDR7等产品的量产与出货规模。
据韩媒Deal Site援引韩国证券业界消息，到2026年，SK海力士的营业利润有望突破70万亿韩元（约合490亿美元）。其中，HBM业务对利润的贡献占比可能有所下降，而通用DRAM的利润占比则将显著提升。预计到2026年上半年，HBM与通用DRAM的营业利润率将趋近于70%左右。
与此同时，据供应链消息，三星电子近期也在调整DRAM产能布局，将重心转向DDR5 RDIMM模组，这一调整的背后，是DDR5模组带来的可观利润空间。此项产能调整预计将释放出约8万片DRAM晶圆的产能。
另据了解，三星计划将30%至40%的1a制程产能，升级改造为更先进的1b或1c制程，其中1c制程将成为未来的发展重点。这些新增产能将主要用于生产DDR5、LPDDR5X、LPDDR6以及GDDR7等存储产品。
长鑫存储也将缩减DDR4产能，全力转向DDR5和LPDDR5市场。
韩国证券业界预测，到2026年，SK海力士的营业利润有望突破70万亿韩元（约合490亿美元）。随着通用DRAM产能和利润贡献的大幅提升，公司利润结构将更趋均衡，HBM业务的利润占比可能相对下降。预计2026年上半年，HBM与通用DRAM的营业利润率将共同趋近于70% 的高水平。
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